AOT470 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOT470

商品编码: BM0000035792
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO220
包装 : 
管装
重量 : 
2.25g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.1W 75V 10A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
3.15
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.15
--
50+
¥2.43
--
1000+
¥2.02
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOT470参数

功率(Pd)268W反向传输电容(Crss@Vds)250pF@30V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.3mΩ@10V,30A
工作温度-55℃~+175℃栅极电荷(Qg@Vgs)136nC@10V
漏源电压(Vdss)75V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)5.64nF@30V连续漏极电流(Id)100A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.7V@250uA

AOT470手册

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AOT470概述

AOT470 产品概述

一、产品概述

AOT470是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其具有出色的电气特性和热特性,可广泛应用于各种电子电路和系统中。此产品采用TO-220封装,便于安装和散热,适合功率开关和线性调节等多种应用场景。

二、主要技术规格

  1. 额定功率: 2.1W
  2. 最大漏极电压: 75V
  3. 最大漏极电流: 10A
  4. 封装形式: TO-220
  5. 类型: N沟道

这些参数赋予了AOT470在高压和高电流条件下的优越性能,使其在开关电源、功率放大器、马达控制及其他需要高效能和低开关损耗的场合中表现卓越。

三、产品特性

  1. 低导通电阻: AOT470具有较低的RDS(on)特性,意味着在导通状态下,管子的电阻较小,可以有效降低功耗和热量生成。这对于延长元器件寿命和提升整体系统效率至关重要。

  2. 高开关速度: 其开关速度优势使得AOT470在高频开关应用中表现优异,适用于需要快速切换的电路设计。

  3. 热管理能力: 采用TO-220封装,AOT470能够很好地与散热体结合,保障元器件在高负载下的稳定性,降低因热量产生的故障率。

  4. 抗击穿能力: 最大耐压75V使得AOT470能够在多种电路条件下正常工作,为系统设计提供了更大的灵活性。

四、应用领域

AOT470的广泛适用性使其在多个领域中表现出色,主要应用包括但不限于:

  1. 开关电源: 在开关电源中,AOT470能够高效地进行能量转换,保证电源的稳定输出。

  2. 电机控制: 用于直流电机的控制,可实现高效的速度调节和位置控制,提高机械效能。

  3. LED驱动电路: 其低导通电阻特性使其在LED驱动电路中能够有效控制电流,实现智能照明控制。

  4. 电池管理系统: 在电池充放电控制中,AOT470能够实现快速开关,提升电池的充放电效率和安全性。

  5. 音频放大器: 在功率放大器中,AOT470能够提供高效的信号放大,保障音质的清晰和纯净。

五、应用优势

使用AOT470产品能够显著降低功耗和提高系统可靠性,得益于其优越的电气特性,用户可在设计中应用更高效的解决方案。此外,其易于散热的TO-220封装也为设计师在外形与实用性之间找到了良好的平衡。

六、总结

AOT470是一款值得信赖的N沟道MOSFET,其凭借优秀的电气性能和多功能的应用场景,适合各种现代电子产品和系统设计。无论是在电源管理、工业控制,还是日常消费电子产品中,AOT470都能够为用户提供高效、稳定的解决方案,满足多元化的市场需求。在选择适合电子设计的MOSFET时,AOT470无疑是一个具有极高性价比的优秀选择。