功率(Pd) | 268W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 250pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8.3mΩ@10V,30A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 136nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 75V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.64nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 100A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.7V@250uA |
AOT470是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其具有出色的电气特性和热特性,可广泛应用于各种电子电路和系统中。此产品采用TO-220封装,便于安装和散热,适合功率开关和线性调节等多种应用场景。
这些参数赋予了AOT470在高压和高电流条件下的优越性能,使其在开关电源、功率放大器、马达控制及其他需要高效能和低开关损耗的场合中表现卓越。
低导通电阻: AOT470具有较低的RDS(on)特性,意味着在导通状态下,管子的电阻较小,可以有效降低功耗和热量生成。这对于延长元器件寿命和提升整体系统效率至关重要。
高开关速度: 其开关速度优势使得AOT470在高频开关应用中表现优异,适用于需要快速切换的电路设计。
热管理能力: 采用TO-220封装,AOT470能够很好地与散热体结合,保障元器件在高负载下的稳定性,降低因热量产生的故障率。
抗击穿能力: 最大耐压75V使得AOT470能够在多种电路条件下正常工作,为系统设计提供了更大的灵活性。
AOT470的广泛适用性使其在多个领域中表现出色,主要应用包括但不限于:
开关电源: 在开关电源中,AOT470能够高效地进行能量转换,保证电源的稳定输出。
电机控制: 用于直流电机的控制,可实现高效的速度调节和位置控制,提高机械效能。
LED驱动电路: 其低导通电阻特性使其在LED驱动电路中能够有效控制电流,实现智能照明控制。
电池管理系统: 在电池充放电控制中,AOT470能够实现快速开关,提升电池的充放电效率和安全性。
音频放大器: 在功率放大器中,AOT470能够提供高效的信号放大,保障音质的清晰和纯净。
使用AOT470产品能够显著降低功耗和提高系统可靠性,得益于其优越的电气特性,用户可在设计中应用更高效的解决方案。此外,其易于散热的TO-220封装也为设计师在外形与实用性之间找到了良好的平衡。
AOT470是一款值得信赖的N沟道MOSFET,其凭借优秀的电气性能和多功能的应用场景,适合各种现代电子产品和系统设计。无论是在电源管理、工业控制,还是日常消费电子产品中,AOT470都能够为用户提供高效、稳定的解决方案,满足多元化的市场需求。在选择适合电子设计的MOSFET时,AOT470无疑是一个具有极高性价比的优秀选择。