AOE6930
AOE6930参数
| 功率(Pd) | 4.1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 55pF@15V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05mΩ@4.5V,20A |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 2个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.075nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 22A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
AOE6930手册
AOE6930概述
AOE6930 产品概述
产品名称: AOE6930
品牌: AOS
封装: 8-DFN (5x6)
类型: N沟道 MOSFET
额定功率: 24W；75W
额定电压: 30V
额定电流: 22A（持续电流），可达85A（峰值电流）
一、产品简介
AOE6930是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效能和高密度应用而设计。其小巧的DFN(5x6)封装不仅节省了PCB空间，还提供了优良的散热性能，确保器件在高负载条件下稳定工作。该产品具有24W和75W的额定功率，以及高达30V的额定电压和22A的持续电流能力，使其能够满足大多数低电压应用的需求。
二、技术特性
高效能的导电能力: AOE6930在低栅压下提供极低的导通电阻，确保在各种工作条件下具有出色的导电性能。这使得其在高频和高效能应用中表现优越，例如开关电源、DC-DC变换器、以及电机驱动等。
优良的热性能: 由于DFN封装的优良热管理特性，AOE6930可在较高的环境温度下稳定运行，从而提高了整体系统的可靠性。同时，采用先进的散热设计，使得这款MOSFET在高功率条件下依然保持较低的工作温度。
简化的驱动电路: AOE6930的栅极驱动电压要求低，因此可以与多种驱动电路兼容，简化了电路设计，提高了系统的整体效率。合理配置引脚位置，也便于设计师在电路板上布局。
良好的开关特性: 该器件具有非常短的开关时间和关断时间，能支持高频应用，提升整体效率，减少开关损耗，尤其适合在开关电源等高频开关场合中使用。此外，其大电流承载能力适合用于马达驱动和逆变器。
三、应用领域
AOE6930的特性使其能够广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源(SMPS): AOE6930非常适合在开关电源中作为主开关器件，能够有效减少待机功耗并提高转换效率。
DC-DC转换器: 由于其高效能和低导通电阻，AOE6930可被用作降压、升压或升降压转换器中的开关，提升整体能效。
电机驱动: 在电机驱动应用中，AOE6930能够提供高达85A的峰值电流，支持大功率电机运行，适用于工业控制、消费电子及电动车辆驱动。
LED驱动电路: 该MOSFET能够用于LED背光、电源供应和驱动电路，提供稳定的电流输出，确保LED的亮度控制。
电池管理系统(BMS): 适合用于电池充电和放电控制，提高电池使用效率和安全性。
四、总结
AOE6930是一款性能卓越的N沟道MOSFET，具备高额定功率和电流处理能力，适合多种应用。其DFN封装带来的高效率和良好的热性能，使其在现代电子设计中成为理想选择。随着对高效能和高功率密度电子元器件需求的增长，AOE6930无疑将在多个应用领域展现出强大的竞争力和广泛的适应性。