STP9NK50Z
STP9NK50Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 850 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 910pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP9NK50Z手册
STP9NK50Z概述
STP9NK50Z 产品概述
STP9NK50Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道 MOSFET。这款器件专为高电压和高电流的应用环境设计，具有优异的导通性能和功率管理能力，适用于广泛的电子电路，如开关电源、高频逆变器、工业设备和消费电子产品等。
基本参数
STP9NK50Z 抗压能力极强，其漏源电压（Vdss）高达 500V，能够适应高压电路中对电压的严苛要求。在 25°C 的测试条件下，该器件的最大持续漏电流（Id）可达到 7.2A（以 Tc 作为参考），显示出良好的电流驱动能力。此外，器件最高功耗可达 110W，这使其在高负载情况下仍能稳定工作。
导通特性
STP9NK50Z 的门源电压（Vgs）设计上限为 ±30V，具有多个操作条件下的导通电阻特性。在不同的漏电流（Id）和栅源电压（Vgs）条件下，该器件的最大导通电阻（Rds(on)）为 850 毫欧，尤其是在 10V 的栅源电压下，这使得其在通态工作时具有大幅度的功耗降低与热管理优势。
在阈值电压（Vgs(th)）方面，该器件的最大阈值电压为 4.5V @ 100µA，表明在较低电压下即可驱动工作，进一步提升了设计的灵活性。此外，栅电荷（Qg）最大值为 32nC @ 10V，设计者在驱动电路时可参考此参数，以确保快速、有效的开关控制。
电气特性
STP9NK50Z 还具有出色的输入电容特性，其输入电容最大值为 910pF @ 25V。这使得器件在高频开关操作时表现出良好的响应能力，进而提升系统的整体效率和性能。
工作环境
该 MOSFET 的工作温度范围广泛，从-55°C 到 150°C（TJ），它的设计理念将极端温度环境的适用性纳入考量，使得该器件特别适合于航空航天、汽车和工业控制等多种苛刻应用环境。
封装与安装
STP9NK50Z 在封装方面采用了经过验证的 TO-220AB设计，这种通孔安装的封装设计不仅为器件提供了更好的热管理能力，还便于与散热片的联结，提高整体散热效率。TO-220 封装广泛应用于各种功率转换器件中，便于大功率设备的安装和维护。
应用范围
由于其出色的电气性能与广泛的适用范围，STP9NK50Z 被广泛应用于以下领域：
- 开关电源：用于高效的DC-DC变换电路。
- 电动机驱动：在电机控制电路中作为开关器件，提供高效能与稳定性。
- 逆变器：在太阳能逆变器和其他能量转换设备中，对电流的调节与控制必不可少。
- 工业控制：如电压和电流监控系统中，作为信号开关使用。
- 消费电子产品：如电源转接器、充电器等应用中，为产品提高效率与减少发热。
总结
STP9NK50Z 作为一款高性能 N 通道 MOSFET，集成了优秀的电气特性、宽广的工作温度范围及灵活多样的应用场景。它在高压、高电流的工作条件下仍能保持高效的性能及可靠性，成为电子工程师在设计电力控制解决方案时的理想组件选择。