SIA414DJ-T1-GE3
SIA414DJ-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 8V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 9.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800pF @ 4V |
| 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta），19W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
SIA414DJ-T1-GE3手册
SIA414DJ-T1-GE3概述
SIA414DJ-T1-GE3 产品概述
SIA414DJ-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由著名的电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。这款 MOSFET 以其优异的电气性能和广泛的应用适用性，成为了高效能电子电路设计中的理想选择。
1. 基本参数概述
该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）为 8V，适合那些在较低电压环境下工作的电路。同时，其在 25°C 时的连续漏极电流（Id）可达到 12A，表明了其出色的额定能力。这种高电流处理能力使得 SIA414DJ-T1-GE3 在电源管理、开关电源和各种电机驱动应用中表现出色。
2. 电阻和导通性能
SIA414DJ-T1-GE3 的导通电阻（Rds On）在 4.5V 的驱动电压下最大值为 11 毫欧（@ 9.7A）。如此低的导通电阻使得 MOSFET 在工作时产生的功率损耗显著降低，从而提升了能效和系统的整体性能。这种特性尤其适用于要求高效率、低热量生成的电源转换电路。
此外，Vgs(th)（栅极阈值电压）最大值为 800mV（@ 250µA），这确保了在较低的栅极电压下就能实现导通，有助于降低驱动电压的需求，进而提升系统的兼容性与应用灵活性。
3. 栅极电荷与输入电容
SIA414DJ-T1-GE3 的栅极电荷（Qg）最大值为 32nC（@ 5V），在高频开关应用中极为重要。较低的栅极电荷意味着 MOSFET 启动与关闭的速度更快，从而提高了开关效率。此外，该器件在 4V 时的输入电容（Ciss）最大值为 1800pF，这对于高频应用也是一个利好。较低的输入电容有助于减少开关时的延迟。
4. 工作条件与功率耗散
SIA414DJ-T1-GE3 的最大功率耗散为 3.5W（在 安装环境温度 Ta 条件下）及 19W（在芯片温度 Tc 条件下），提供了对多种负载条件的应对能力。这一特性相结合广泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），使该器件适用于极端环境和严苛条件下的应用。
5. 封装类型与安装
该 MOSFET 采用 PowerPAK® SC-70-6 的表面贴装封装，这种小型化设计不仅节省了电路板空间，还支持高密度布局，适合于现代电子产品小型化的趋势。这种封装的特性使之在便携式设备和高集成度的电路中同样表现得游刃有余。
6. 应用领域
SIA414DJ-T1-GE3 适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 开关电源和线性稳压电源
- 电机控制与驱动
- LED 驱动
- 电池管理系统
- 各类高效能功率转换电路
结论
综上所述，SIA414DJ-T1-GE3 作为一款高效的 N 通道 MOSFET，以其出色的导电性能、热管理能力和灵活的应用范围，成为现代电子设备设计不可或缺的元件。无论是在电源管理、负载开关，还是在高频开关电路中，其卓越的性能都能支持设计工程师实现高效能和高集成度的电路解决方案。选择 SIA414DJ-T1-GE3，定能为您的产品设计带来更多灵活性和高效性。