二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 40V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 550mV @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 200µA @ 40V |
不同 Vr、F 时电容 | 50pF @ 4V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-219AD | 供应商器件封装 | MicroSMP(DO-219AD) |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
产品名称:肖特基二极管 MSS1P4HM3_A/H
品牌:VISHAY(威世)
封装形式:MicroSMP(DO-219AD)
MSS1P4HM3_A/H 是一款高性能的肖特基二极管,具备广泛的应用潜力,特别适合于需要高效整流和高速开关的电路设计。其主要参数包括:
MSS1P4HM3_A/H 的最大工作温度范围从-55°C到150°C,适合于各种恶劣环境下的应用,如汽车电子、工业控制和消费电子产品。此外,它的快速恢复时间低于500ns,且在超过200mA的工作条件下仍然能够提供高效的开关性能。这使得该二极管在高频率的逆变器、电源模块和高频开关供电系统中尤为适用。
在频率为1MHz和4V下,该二极管提供的输入电容为50pF,这一低电容值使其非常适合于高频信号应用,能够减少信号传输过程中的延迟和失真。较低的电容值也意味着在开关应用中,寄生电容的影响会极大降低,从而提高了整个电路的效率和稳定性。
MSS1P4HM3_A/H 采用 MicroSMP(DO-219AD)封装类型,具有小型和轻量的特点,非常适合现代电子设备对空间和重量的严格要求。表面贴装型的设计简化了 PCB (印刷电路板)实现,同时还提高了生产效率和可靠性。其小型封装能够有效满足空间有限的设计需求,使之广泛应用于各类紧凑型设备中。
由于 MSS1P4HM3_A/H 的高性能特性,它可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:
MSS1P4HM3_A/H 是一款优质的肖特基二极管,由 VISHAY(威世)生产,凭借其低正向压降、全方位的工作温度范围、快速恢复及低反向泄漏性能,成为了电源管理和高频开关应用的理想选择。其 MicroSMP(DO-219AD)封装设计使其在现代电子产品中能体现出较大的应用灵活性和设计便利性。选择 MSS1P4HM3_A/H,为您的电路设计提供可靠的性能保障和优良的性价比。