SMMBT5551LT1G
SMMBT5551LT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 160V | 功率 - 最大值 | 225mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
SMMBT5551LT1G手册
SMMBT5551LT1G概述
SMMBT5551LT1G 产品概述
一、基本介绍
SMMBT5551LT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能 NPN 晶体管，封装采用 SOT-23-3 表面贴装型设计。这款晶体管具有多方面的应用潜力，适用于各种电子电路与设备，尤其在低功耗及中等电流需求的场合中表现出色。
二、主要参数
- 安装类型: 表面贴装型
- 晶体管类型: NPN
- 集电极电流 (Ic):
- 最大值: 600mA
- 截止电流 (Ic cut-off): 100nA
- 饱和压降 (Vce):
- 最大值: 200mV @ 5mA 和 50mA
- DC 电流增益 (hFE):
- 最小值: 80 @ 10mA 和5V
- 集射极击穿电压 (Vce(max)): 160V
- 功率最大值: 225mW
- 工作温度: -55°C 至 150°C
三、应用场景
SMMBT5551LT1G 在许多电子产品中都有广泛的应用。例如，它可以用于线性放大器、开关电路、信号放大以及作为开关元件控制负载等场合。其高达 600mA 的集电极电流和 160V 的耐压特性，使其适合用于需要良好抗压性能的高电压应用。而其较低的工作功耗与较高的电流增益，适合于低功耗电子设备。
四、性能优势
高电流处理能力: 最大可达 600mA 的集电极电流，使得 SMMBT5551LT1G 可在较高负荷下稳定工作，同时提供可靠的性能输出。
低饱和压降: 仅 200mV 的饱和压降，即使在较高电流条件下也能保证低能耗，体现出优越的能效性能，特别是在电池供电的设备中极具优势。
高增益值: 80 的电流增益提高了开关速率，有助于在各种应用中实现更快的响应时间。
宽工作温度范围: 适应 -55°C 至 +150°C 的工作温度，确保在恶劣环境下也能稳定工作，因此特别适合于航空航天、汽车电子及工业设备等领域。
五、封装优势
SOT-23-3 封装小巧，方便自动化贴片生产，有利于缩小整体电路板尺寸，降低制造成本。这种封装形式不仅有助于提高电路密度，还能提高散热性能，增加产品的可靠性。
六、总结
综上所述，SMMBT5551LT1G 是一款具有高电流承载能力和良好电气性能的 NPN 晶体管，适合广泛的电子应用。它以其低功耗和高增益的特点适应于现代低功耗设备的需求，同时在高负载和高温度环境中表现出色。无论是用于消费电子、工业控制还是汽车电子，SMMBT5551LT1G 都能为设计工程师提供一个可靠且高效的解决方案。随着电子技术的不断进步，该组件将在更广泛的市场和应用中发挥越来越重要的作用。