FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 72.5 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 38nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1710pF @ 50V |
功率耗散(最大值) | 144W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
IRFB4620PBF 是一款高性能的 N 通道绝缘栅场效应管(MOSFET),由知名品牌英飞凌(Infineon)生产。该器件专为高电压和高电流应用而设计,尤其适用于电源管理和逆变器等领域。其独特的参数配置使其在各种苛刻的工作环境中具有卓越的性能。
IRFB4620PBF 的导通电阻在 10V 时最大为 72.5 毫欧,对于流过 15A 的电流来说,这一导通电阻的表现非常优异,能够显著降低能量损耗。这使得该器件在高效能的开关电源和逆变器中非常理想。此外,其在 100µA 的 Vgs(th) 下的最大阈值电压为 5V,为设计者提供了一定的设计灵活性。
该 MOSFET 的栅极电荷 (Qg) 最大值为 38nC @ 10V,使得它在开关速度方面表现出色,能够实现快速的开关操作,满足高频率应用的需求。同时,其在 50V 下的输入电容 (Ciss) 最大值为 1710pF,有助于进一步提高开关速度,从而在各种电子设备中提升整体性能。
IRFB4620PBF 的工作温度范围广泛,-55°C 到 175°C 的工作温度使其适合在极端环境中使用,非常适合航空航天、汽车和工业应用。其最大功率耗散为 144W(Tc),对应不同工作条件下的可靠性,有效避免了热失控。
该器件采用 TO-220AB 封装形式,便于散热,适合通孔安装,能够实现良好的热管理,适应高功率应用。此外,TO-220 封装的设计也使得 IRFB4620PBF 在安装与散热方面具有一定的灵活性。
由于其卓越的性能参数和广泛的工作温度范围,IRFB4620PBF 特别适用于以下应用:
综合考虑 IRFB4620PBF 的性能特点,该 MOSFET 凭借其高耐压、高电流及低导通电阻的优势,成为了高效能电源解决方案的理想选择。其出色的开关特性和强大的环境适应性,无疑能够满足现代电子设备对性能和可靠性的高要求。因此,IRFB4620PBF 是电子设计工程师在高功率应用中的不二之选。