IRFB4620PBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IRFB4620PBF

商品编码: BM0000035728
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-220AB
包装 : 
管装
重量 : 
1g
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
6.75
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.75
--
100+
¥5.4
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRFB4620PBF参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)200V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)72.5 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)38nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1710pF @ 50V
功率耗散(最大值)144W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3

IRFB4620PBF手册

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IRFB4620PBF概述

产品概述:IRFB4620PBF MOSFET

IRFB4620PBF 是一款高性能的 N 通道绝缘栅场效应管(MOSFET),由知名品牌英飞凌(Infineon)生产。该器件专为高电压和高电流应用而设计,尤其适用于电源管理和逆变器等领域。其独特的参数配置使其在各种苛刻的工作环境中具有卓越的性能。

基础参数

  • 漏源电压 (Vdss): 最高工作电压为 200V,使其能够处理高电压应用,适合多种电源拓扑结构。
  • 最大连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时该器件的最大漏极电流为 25A,符合高电流需求的应用场景。
  • 栅源电压 (Vgs): 栅极驱动电压最大为 ±20V,能够适应多种不同的驱动要求。

导通电阻与导通特性

IRFB4620PBF 的导通电阻在 10V 时最大为 72.5 毫欧,对于流过 15A 的电流来说,这一导通电阻的表现非常优异,能够显著降低能量损耗。这使得该器件在高效能的开关电源和逆变器中非常理想。此外,其在 100µA 的 Vgs(th) 下的最大阈值电压为 5V,为设计者提供了一定的设计灵活性。

开关性能

该 MOSFET 的栅极电荷 (Qg) 最大值为 38nC @ 10V,使得它在开关速度方面表现出色,能够实现快速的开关操作,满足高频率应用的需求。同时,其在 50V 下的输入电容 (Ciss) 最大值为 1710pF,有助于进一步提高开关速度,从而在各种电子设备中提升整体性能。

可靠性和工作环境

IRFB4620PBF 的工作温度范围广泛,-55°C 到 175°C 的工作温度使其适合在极端环境中使用,非常适合航空航天、汽车和工业应用。其最大功率耗散为 144W(Tc),对应不同工作条件下的可靠性,有效避免了热失控。

封装与安装

该器件采用 TO-220AB 封装形式,便于散热,适合通孔安装,能够实现良好的热管理,适应高功率应用。此外,TO-220 封装的设计也使得 IRFB4620PBF 在安装与散热方面具有一定的灵活性。

应用领域

由于其卓越的性能参数和广泛的工作温度范围,IRFB4620PBF 特别适用于以下应用:

  • 高效开关电源(SMPS)
  • 逆变器
  • 电动汽车电源管理
  • 太阳能逆变器
  • 电机驱动

总结

综合考虑 IRFB4620PBF 的性能特点,该 MOSFET 凭借其高耐压、高电流及低导通电阻的优势,成为了高效能电源解决方案的理想选择。其出色的开关特性和强大的环境适应性,无疑能够满足现代电子设备对性能和可靠性的高要求。因此,IRFB4620PBF 是电子设计工程师在高功率应用中的不二之选。