IRF100S201
IRF100S201参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 192A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 115A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 255nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9500pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 441W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263AB） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF100S201手册
IRF100S201概述
IRF100S201 产品概述
产品基础信息
IRF100S201是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高效能开关电源和电流控制应用而设计。它具备卓越的漏极源电压（VDS）和电流处理能力，适合于多种工业和消费类电子产品。这款MOSFET的主要参数包括：最大漏源电压为100V，持续漏极电流可达192A（在适当的温度条件下），以及最具竞争力的导通电阻RDS(on)，在115A和10V栅极电压下，其最大值为4.2毫欧。该器件的特殊设计使其在高压和大电流环境下表现稳定，适用于各种高要求的电力转换系统。
性能特点
高导电性: IRF100S201通过设计优化了导通电阻（RDS(on)），确保其在进行快速开关操作时能减少功率损耗，提高能效，尤其适合大电流应用。
高电流容量: 在25°C的环境温度下，设备能够承受高达192A的连续漏极电流，这使得其在高负载条件下的应用场景更加广泛。
宽工作温度范围: 本产品的工作温度范围从-55°C至175°C，能够满足极端环境条件下的应用需求。这使得IRF100S201在汽车电子、航空航天及工业设备中非常适用。
可靠性与稳定性: 此FET在设计时考虑到了保护和可靠性，经验丰富的制造工艺确保该器件在多种应用场景中均能保持稳定工作。
技术规格
漏源电压(VDSS): 100V，对于要求较高电压工作的应用，IRF100S201能够有效地满足。
最大RDS(on): 4.2毫欧，当 Id 为115A，并且 Vgs 为10V时，该器件展现出极低的导通电阻，降低了热耗散。
栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大值为4V (在250µA下)，这意味着它可以在低电平驱动下快速开启，提升了整体效率。
输入电容(Ciss): 9500pF（在50V下），确保其在高速开关操作中的表现，使得其对驱动电路要求降低。
栅极电荷(Qg): 最大值为255nC（在10V下），在短时间内快速充电和放电，使得该MOSFET在高频应用中具备良好的响应性。
功率耗散: 441W（在Tc条件下），显示出该器件的优秀散热能力，可用于高功率应用。
封装
IRF100S201采用TO-263-3（D²PAK）封装，具备较好的散热性能与安装便利性，非常适合表面贴装技术（SMT）生产线。这种封装不仅可以有效降低设备的体积，还能通过改善电气性能来满足现代电子产品对体积和性能的双重要求。
应用场景
IRF100S201因其卓越的性能，广泛应用于以下领域：
开关电源和DC-DC变换器: 能够高效地处理输入输出电流，提供稳定的电源转换效率。
电动车辆和混合动力汽车: 用于电动机控制和电池管理，能够在高电流和宽温环境下稳定工作。
机器人与自动化设备: 在伺服驱动和无刷电机控制中，IRF100S201可以提供高效能和可靠性。
工业电源及电信设备: 在高功率转换和转换效率要求严格的领域，IRF100S201亦能发挥出色作用。
综上所述，IRF100S201作为一款高压、大电流的N通道MOSFET，凭借其优异的参数和宽广的应用领域，成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。选择IRF100S201，便是选择了性能、可靠性和高效能。