BSS159NH6327XTSA2

产品概述：Infineon BSS159NH6327XTSA2 N沟道MOSFET

一、产品简介

BSS159NH6327XTSA2 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET（场效应晶体管），专为各种低功耗电子应用而设计。作为一款表面贴装型元器件，BSS159 在电源管理、开关电路和信号处理等领域中表现出色。其小巧的 SOT-23-3 封装使其适合广泛的应用场景，能够有效节省电路板空间。

二、主要技术参数

1. 类型与结构：

   • FET 类型：N 通道
   • 技术：MOSFET（金属氧化物半导体）

2. 电气特性：

   • 漏源电压 (Vdss)：额定值为 60V，适合多种应用场合。
   • 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 条件下，最大值为 230mA，能够满足大多数低功耗负载需求。
   • 导通电阻 (Rds(on))：在最小值为 10V 时，最大导通电阻为 3.5Ω @ 160mA，确保了良好的导通性能与低热生成。

3. 栅极特性：

   • 驱动电压：Vgs 的最小值可下降至 0V，最大可达 10V，提供灵活的驱动方案。
   • 阈值电压 (Vgs(th))：最大值为 2.4V @ 26μA，适合各种低电压信号源。
   • 栅极电荷 (Qg)：最大值为 1.4nC @ 5V，确保开关速度快，延迟时间短。

4. 输入电容：

   • Ciss：在不同 Vds 下，输入电容的最大值为 39pF @ 25V，保障了良好的高频性能。

5. 功率和温度特性：

   • 功率耗散：最大功率耗散限制为 360mW，适合需要低热量生成的应用。
   • 工作温度范围：-55°C 到 150°C 的宽广温度范围，保证其在极端环境下的可靠性。

6. 封装与安装：

   • 封装类型：SOT-23-3，适用于表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产。
   • 兼容封装：TO-236-3, SC-59 提供了替代选项以适应不同的设计需求。

三、应用领域

BSS159NH6327XTSA2 MOSFET 适用于多种电子设备和系统，主要包括：

• 电源管理电路：用于 DC-DC 转换器、线性稳压电源等场合，帮助有效控制电能分配。
• 开关电路：可作为负载开关控制器，以实现低功耗开关操作。
• 信号放大和调制：在 RF 放大器等高频应用中，提供稳定的信号传输和调制。
• 汽车与工业电路：由于其良好的高温工作性能，可在汽车电子及工业自动化中广泛应用。

四、总结

Infineon BSS159NH6327XTSA2 是一款性能卓越、适用范围广泛的 N 沟道 MOSFET，凭借其高漏源电压、低导通电阻及宽工作温度范围，成为多种低功耗电子应用的理想选择。其小型 SOT-23-3 封装加上杰出的电气特性，使其能够满足现代电子设计对于尺寸和效率的严格要求。无论是用于电源管理、开关电路，还是信号处理，BSS159都展现出了其在电子元器件中的重要地位。