SI6968BEDQ-T1-E3

SI6968BEDQ-T1-E3 产品概述

SI6968BEDQ-T1-E3 是由威世(VISHAY)推出的一款高性能场效应管（MOSFET），属于双N沟道共漏结构。这款器件在电源管理和开关电源应用中广受欢迎，其卓越的电气特性使其适用于广泛的电子设备和工业应用。

基本参数

• 封装形式: SI6968BEDQ-T1-E3采用小尺寸的8-TSSOP封装（0.173"宽，4.40mm），方便表面贴装，有助于提高电路板的空间利用率，适合高密度集成的电子设计。

• 导通电阻: 在6.5A，4.5V的条件下，该MOSFET的最大导通电阻为22毫欧。这一特性使得器件在较高负载情况下表现出优良的小信号增强性能，减少了功率损耗。

• 漏极电流: 在工作环境温度为25°C时，SI6968BEDQ-T1-E3的连续漏极电流(I_d)为5.2A，适应了大多数低电压应用的需求。对于需要处理更高电流的场合，结合额外的散热措施，该器件同样能够稳定运行。

• 漏源电压(V_dss): 该器件的漏源电压最高可承受20V，符合低电压电源下的安全和工作需求，适合电源开关和驱动电路的使用。

• 工作温度范围: 该MOSFET支持的工作温度范围为-55°C至150°C，适应了严苛环境下的工艺需求，非常适合工业、汽车及军事等领域。

• 栅极电荷(Qg): 不同Vgs条件下的栅极电荷最大值为18nC @ 4.5V，良好的栅极驱动特性使得其在开关频率较高的应用中能够快速响应，提高了整体系统的效率。

• 栅源阈值电压: 在250µA时，该器件的栅源阈值电压(Vgs(th))最大为1.6V，确保器件能够在较低电压环境下高效工作，适合逻辑电平控制需求。

应用场景

由于其小尺寸和优良的电气性能，SI6968BEDQ-T1-E3在各类应用中表现出色。它既适用于一般的电源管理和转换器，还能够用于更复杂的应用，如电机驱动、电池管理系统及家电设备等。同时，凭借其广泛的工作温度范围，该器件也适合在严酷或多变的环境中使用，不论是在高温还是低温应用中均能维持高效的工作状态。

总结

SI6968BEDQ-T1-E3 是一款高效率、高可靠性的MOSFET，具备低导通电阻、高漏极电流和宽广的工作温度范围等诸多优点。这些特性使其在现代电子设计中成为一种理想的选择。无论是用于日常消费类电子产品还是在专业领域的工业设备中，该MOSFET都可以提供可靠的支持，推动电子产品向更小、更快和更节能的发展。构建高效电子电路，SI6968BEDQ-T1-E3 无疑是一个值得信赖的解决方案。