注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFD320PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
DIP-4
包装 :
管装
重量 :
0.56g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W 400V 490mA 1个N沟道 HVMDIP-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.32按整 :
管(1管有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.32
--
100+
￥3.59
--
1250+
￥3.27
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFD320PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 490mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 210mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 410pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
IRFD320PBF手册
无数据
IRFD320PBF概述
产品概述：IRFD320PBF MOSFET
概述
IRFD320PBF 是一款由威世（VISHAY）公司制造的高性能 N 通道 MOSFET，适用于各种电子应用。其核心特性包括高漏源电压（Vdss），出色的电流处理能力和良好的热稳定性，使其成为功率管理和开关应用的理想选择。
关键特性
- 类型：N 通道 MOSFET
- Vdss：400V，适合高压应用
- Id：在 Ta = 25°C 时，持续漏极电流可达 490mA
- Rds(on)：在 Vgs = 10V 时，最大导通电阻为 1.8Ω（@ Id = 210mA），保证高效率和低功耗
- Vgs(th)：最大阈值电压为 4V（@ 250µA），提供更宽的驱动范围
- Qg：栅极电荷最大值为 20nC（@Vgs = 10V），有助于降低开关损失
- Ciss：在 Vds = 25V 时，输入电容最大值为 410pF，确保快速开关行驶特性
- 功率耗散：最大功率耗散为 1W（Ta），适合多种低功率应用
- 工作温度：工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C（TJ），适用各种恶劣环境
- 封装类型：DIP-4（0.300"，7.62mm），适合通孔安装
应用领域
IRFD320PBF 的设计定位使其能够在多个领域发挥重要作用，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：其优良的导通和关断特性，能有效提高电源转换的效率。
- 电力管理：在各种电力转换和电流控制的应用中，IRFD320PBF 提供可靠的性能。
- 马达驱动：适合用于电机控制系统，通过其优异的电流承载能力，能够有效驱动小型电机。
- 家用电器：广泛应用于洗衣机、电冰箱和微波炉等设备中，实现高效的功率控制与转换。
性能优越性
相比于其他同类产品，IRFD320PBF 的优势在于其高达 400V 的漏源电压及 490mA 的漏极电流能力，在确保高效率的同时，提供了广泛的应用灵活性。此外，其低导通电阻和适中的栅极电荷，使得它在频繁开关的情况下能够有效降低功率损耗，从而提升整体系统的可靠性。
封装与安装
该产品采用 DIP-4 封装，具有良好的焊接性能和适应性，且便于在嵌入式系统及其他电子电路中进行通孔安装。DIP 封装使得其在电路板中的布局和集成更为便捷，适合在高密度的电子设备中使用。
总结
IRFD320PBF 是一款出色的 N 通道 MOSFET，凭借其高压、高电流处理能力、出色的热稳定性以及宽广的工作温度范围，成为多种电子应用中的理想选择。无论是在开关电源、马达驱动还是其他电力管理应用，IRFD320PBF 都能够提供可靠、高效的解决方案。通过采用威世这一行业领先品牌的产品，设计工程师可以更加自信地构建其电子系统，以实现更高的性能和可靠性。