MBT3906DW1T1G
MBT3906DW1T1G参数
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
MBT3906DW1T1G手册
MBT3906DW1T1G概述
产品概述：MBT3906DW1T1G
概述
MBT3906DW1T1G是一款高性能的PNP型双极晶体管（BJT），专为低功耗和高频应用设计。它由ON Semiconductors（安森美）制造，具备出色的电流增益和电压特性，广泛应用于音频放大器、开关电源、信号调理和其他模拟电路中。该器件采用小型的SC-70-6封装，适合表面贴装技术（SMT），使其在空间有限的电路板设计中表现出色。
关键参数
- 晶体管类型： PNP（双）
- 最大集电极电流（Ic）： 200mA
- 最大集射极击穿电压（V(BR)CEO）： 40V
- 饱和压降（Vce(sat)）： 在5mA和50mA时最大为400mV
- 最小直流电流增益（hFE）： 在10mA和1V时，至少为100
- 最大功率消耗： 150mW
- 频率特性： 250MHz
- 工作温度范围： -55°C到150°C（结温TJ）
- 封装类型： SC-88/SC70-6/SOT-363
性能分析
MBT3906DW1T1G的设计允许其在多种电气条件下有效工作。其最大集电极电流为200mA，意味着该晶体管能够处理较高的负载电流，从而使其在实际应用中常常被用作功率放大器或开关元件。最大40V的集射极击穿电压保证了其在高电压环境下的可靠性。
该器件具有较低的饱和压降，这使得它在开关操作时具有更高的效率，尤其是在低电流应用中。并且，其最小的直流电流增益（hFE）为100，表示在应用中能以较小的基极电流控制较大的集电极电流，极大提高了电路的工作效率。
应用领域
MBT3906DW1T1G巧妙结合了高频性能与强大的功率能力，非常适合以下应用：
音频放大器： 在音频信号的处理和放大中，由于其较低的噪声和良好的增益特性，使得该器件成为音频放大电路的理想选择。
开关电源： 由于其能够承受高电压和高电流，适用于开关电源中的开关调节，保证系统的稳定性和可靠性。
信号调理： 在信号调理电路中，该晶体管能够有效放大微弱信号，提高精度与响应速度。
小型传感器和仪表： 小巧的封装设计使其容易集成到传感器和各种仪器中，尤其是在空间受限的应用环境。
封装与安装
MBT3906DW1T1G采用SC-70-6（SOT-363）封装，兼具小型化和表面贴装特性。这种封装形式不仅有助于减少PCB面积，还简化了自动化制造过程。便利的安装方式使得各种类型的电路设计都能够轻松适配，极大地提高了生产效率与产品的市场竞争力。
结论
MBT3906DW1T1G是一款具有广泛应用前景的PNP型双极晶体管，其卓越的性能参数和紧凑的封装设计使其成为多种电子应用中的理想选择。从音频放大器到开关电源、信号调理电路，这款晶体管凭借其高效能和可靠性，无疑能够在各类电子产品中发挥重要作用。对于设计师而言，选择MBT3906DW1T1G将为产品的创新和性能提升提供强有力的支持。