STF15N80K5
STF15N80K5参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 375 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF15N80K5手册
STF15N80K5概述
产品概述：STF15N80K5 N通道MOSFET
STF15N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）公司推出的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计旨在满足高压、高效率以及广泛的应用需求。此器件特别适用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高功率转换领域。
主要规格
漏源电压（Vdss）: STF15N80K5的漏源击穿电压达800V，适用于高电压应用场景，能够在苛刻的操作条件下工作，给设计工程师提供了更大的灵活性。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的工作环境下，此器件可承受14A的连续漏极电流。其电流能力使其能广泛应用于要求较大电流的场合，如电动机驱动和电源转换等应用。
导通电阻（Rds On）: STF15N80K5在7A、10V的状态下最大导通电阻仅为375毫欧，极大地降低了功率损耗，同时提高了系统的工作效率。低导通电阻特性使其在开关损耗方面具备卓越的表现。
栅极驱动电压: 建议的栅源电压（Vgs）为10V，以实现最佳的导通特性。同时，Vgs的最大值可以达到±30V，为设计提供了更高的保护等级。
阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为5V（@100µA），这使得在普通工作条件下，STF15N80K5能够迅速导通，响应时间快，非常适合快速开关应用。
输入电容（Ciss）: 在100V的Vds条件下，输入电容最大值为1100pF，较小的输入电容有助于提高开关速度，降低驱动功耗，对于高频应用尤为重要。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为32nC（@10V），这一数据表明，在频繁开关操作中，驱动电路所需的能量较低，从而提升了功效。
功率耗散: STF15N80K5的最大功耗为35W（Tc），确保在高负载条件下保持良好的热管理性能。
工作温度范围: 其工作温度范围从-55°C到150°C（TJ），极大地扩展了应用场合的适应能力，使之能够在恶劣环境中可靠工作。
封装信息
STF15N80K5采用TO-220FP封装，这是行业标准的封装形式，便于散热与安装，适合在多种PCB板设计中使用。TO-220-3封装设计的结构使得其在散热性能上表现出色，有助于确保器件在高功率负载下的稳定性。
应用场景
由于其卓越的电气性能和耐用的封装设计，STF15N80K5广泛应用于多种领域，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动器
- 感应加热
- 电源模块的反馈控制
- 太阳能逆变器
总结
STF15N80K5是一款高效、可靠的N通道MOSFET，凭借其优秀的电气特性和封装形式，适合于各种高电压、高功率的应用环境。意法半导体凭借其在半导体行业的技术积累，将该产品打造成能够满足现代电子设备对高效能和高可靠性需求的理想选择。无论是在工业应用还是消费类电子产品中，STF15N80K5都能凭借其高性能为设计师提供强有力的支持。