ZXTN25050DFHTA 产品实物图片
ZXTN25050DFHTA 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXTN25050DFHTA

商品编码: BM0000035665
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
0.028g
描述 : 
三极管(BJT) 1.25W 50V 4A NPN SOT-23
库存 :
5680(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
2.46
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.46
--
100+
¥1.98
--
750+
¥1.76
--
1500+
¥1.66
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXTN25050DFHTA参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)4A
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)210mV @ 400mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)300 @ 10mA,2V
功率 - 最大值1.25W频率 - 跃迁200MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SOT-23-3

ZXTN25050DFHTA手册

empty-page
无数据

ZXTN25050DFHTA概述

ZXTN25050DFHTA 产品概述

产品简介: ZXTN25050DFHTA是一款高性能的NPN型功率晶体管,专为提供高电流和高电压处理能力而设计,尤其适用于高频开关电源、功率放大及信号处理等应用场景。此款晶体管采用SOT-23封装,适合表面贴装技术(SMT),极大地增强了其在现代电子设备中的适用性。

基础参数:

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流 (Ic): 最大可达4A
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大为50V
  • Vce饱和压降: 在400mA电流下,最大饱和压降为210mV,这表明在高电流工作时能量损耗极小。
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大为50nA,表现出优良的关断特性。
  • 直流电流增益 (hFE): 在10mA和2V环境下,最小增益可达300,显示出该晶体管在放大信号时具有高效的性能。
  • 工作功率: 最大功率为1.25W,适合多种中等功率需求的应用。
  • 频率跃迁: 最高可达200MHz,相应的频率特性使得它可以用于高频应用,如射频放大器和数字电路中。

工作环境: ZXTN25050DFHTA的工作温度范围从-55°C到150°C,理论上可以在极端环境条件下稳定工作,确保其在各种工业和高温应用中的可靠性。

封装与安装: 采用TO-236-3/SOT-23-3封装的小尺寸和低重量,使其非常适合便携式设备以及要求节省空间的电路设计。表面贴装类型的设计也保证了快速和高效的装配流程,这对于现代电子产品的生产效率至关重要。

应用领域:

  1. 电源管理: 适用于开关电源及线性稳压器的设计,在显示器、家电及其它消费电子产品中广泛应用。
  2. 信号放大: 在无线通信、音频放大器和其它信号处理设备中,可以提供高效的信号放大能力。
  3. 功率开关: 在电机驱动、灯光控制及其他高功率应用中,作为开关元件来控制电流的流动。
  4. 高频应用: 由于其高频响应特性,适合用于高频电子设备,如RF前端模块、蜂窝通讯等。

总结: ZXTN25050DFHTA以其卓越的电气性能和宽广的应用领域,成为现代电子设计中不可或缺的重要元器件之一。其高集电极电流、低饱和压降和良好的增益特性,结合其耐高温和紧凑的封装设计,使其在电源管理、信号处理及功率转换等多个行业场景中表现出色,是开发人员进行电路设计时的优质选择。通过合理的元器件选择和配置,ZXTN25050DFHTA助力于实现高效能与高可靠性的电子产品开发,以满足市场对高性能电子设备日益增长的需求。