驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.9V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 200mA,350mA | 输入类型 | 非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V | 上升/下降时间(典型值) | 150ns,50ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
IR25606STRPBF 是一款高性能的栅极驱动器,专为推动大功率 IGBT 和 N 沟道 MOSFET 控制而设计。其采用表面贴装型封装(SOIC-8),具有卓越的可靠性和耐用性,适用于多种工业和汽车应用。该器件的驱动配置为半桥,能够满足独立通道的需求,在控制高压开关的场合展现出色的性能。
双通道独立驱动:IR25606STRPBF 内置两个独立的驱动器,可灵活驱动两个不同的功率开关或增加系统的复杂程度,适合多种半桥电路的应用。
高电压兼容性:该驱动器允许高压侧电压——最大值达到600V,使其能够有效地驱动最常用的 IGBT 和 MOSFET,尤其适合高压功率电子应用。
适应性电压范围:提供10V到20V的供电电压范围,使其可以与多种外部电源兼容,并适应不同的工作环境。
快速响应时间:其上升时间和下降时间分别为150ns和50ns,使得驱动器能够在开关频率较高的应用中保持良好的效能,适合高频转换和开关电源。
低逻辑电压:输入逻辑电压(VIL和VIH)分别为0.8V和2.9V,允许低逻辑电压系统的使用,通过与低电平信号的兼容性来简化电路设计。
高峰值输出电流:具备200mA的灌输出电流和350mA的拉输出电流,确保在各种负载条件下仍能保持流畅的驱动能力,无论是大功率设备或是快速切换需求的电路,上也是表现出色。
广泛的工作温度范围:该器件在-40°C到150°C的广泛工作温度范围内运作,确保在极端环境条件下的可靠性和稳定性,适合汽车和工业领域对温度变化的严格要求。
IR25606STRPBF 广泛应用于多种场景,包括但不限于:
IR25606STRPBF 的设计充分考虑了市场对高效能、高可靠性和多功能性的需求。采用高质量的组件和先进的设计理念使其在业界同类产品中脱颖而出。其紧凑的SOIC-8封装有助于节省PCB空间,满足现代电子设备对小型化和高集成度的追求。
此外,英飞凌作为全球领先的半导体制造商,其产品质量和性能得到了广泛认可。IR25606STRPBF 的应用灵活性和可靠性为设计工程师提供了极大的便利,降低了系统设计的复杂度,增强了产品的市场竞争力。
IR25606STRPBF 是一款功能强大的栅极驱动器,凭借其独特的设计理念和出色的技术参数,成为了电力电子领域的重要组件。无论是在工业应用还是汽车电子系统,这款驱动器都能提供自信的性能和可操作性,为高压、高效能的设计需求提供强有力的支持。