SIA440DJ-T1-GE3
SIA440DJ-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 26 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 700pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta），19W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 单 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 |
SIA440DJ-T1-GE3手册
SIA440DJ-T1-GE3概述
SIA440DJ-T1-GE3 产品概述
概述
SIA440DJ-T1-GE3是一款高性能N通道MOSFET，设计用于多种功率开关和电源管理应用。由威世（VISHAY）公司制造，该器件采用先进的PowerPAK® SC-70-6封装技术，旨在提供优异的电气特性和热管理，适合高密度和高效能的电子设备。此MOSFET的耐压能力、低导通电阻和出色的热性能，使其成为诸如电源转换、马达驱动和负载开关等领域的理想选择。
关键特性
漏源电压 (Vdss)： 支持最大的40V电压，可以在许多常见的电源质量管理应用中确保可靠工作。
最大连续漏电流 (Id)： 在25°C环境温度下，器件可以流过12A的漏电流，适应多种高功率场合。
导通电阻 (Rds On)： 在10V的栅极驱动电压下，最大导通电阻为26毫欧（@9A），优异的导通电阻意味着较低的功耗和发热，增强了系统的整体效率。
栅-源阈值电压 (Vgs(th))： 最大阈值电压为1.4V（@250µA），可确保MOSFET在较低的栅驱动电压下即可启用，适合低电压控制场景。
栅极电荷 (Qg)： 最大栅极电荷为21.5nC（@10V），这有助于提供快速的开关速度，适合高频应用。
输入电容 (Ciss)： 在20V时的最大输入电容为700pF，通过优化设计促进更高的开关效率。
功率耗散能力： 器件的最大功率耗散能力为3.5W（Ta）和19W（Tc），为系统设计提供了较大的功率余量。
工作温度范围： 支持的工作温度范围广，从-55°C至150°C（TJ），确保在极端环境下的稳定性与可靠性。
应用场景
SIA440DJ-T1-GE3的设计使其适用范围非常广泛，包括但不限于以下几个方面：
开关电源：在DC-DC转换器及AC-DC电源的转换阶段中，SIA440DJ-T1-GE3能够提供有效的开关控制，提升转换效率，降低热损耗。
马达控制：在电机驱动应用中，该MOSFET可以高效地控制马达的启停和调速，以实现更灵活的操作，提高系统响应能力。
负载开关：该器件可用作各种负载开关，具备当前承载能力且低导通电阻的特性，使其在功率管理中具备优异的开关性能。
消费电子：适用于需要良好热管理和散热特性的消费类电子产品，如电视、计算机及移动设备中。
封装特性
PowerPAK® SC-70-6封装不仅体积小巧，而且在散热性能方面具有优势，适合于高密度设计要求。该封装具备较大的接触面积，优化了热传导能力，从而提高了元件在长时间工作中性能的可靠性。
总结
SIA440DJ-T1-GE3是一款高效、可靠且多功能的N通道MOSFET，凭借其低导通电阻、高电压耐受能力及广泛的工作温度范围，特别适用于各种电源管理及开关控制应用。作为威世公司推出的先进产品，它不仅满足现代电子设备对效率和性能的需求，也为设计工程师提供了更多可能性，推动电源领域的创新与发展。