SSM3J334R,LF(B 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SSM3J334R,LF(B

商品编码: BM0000035579
品牌 : 
TOSHIBA(东芝)
封装 : 
SOT-23F-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
绝缘栅场效应管(MOSFET)
库存 :
278(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.504
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.504
--
200+
¥0.325
--
1500+
¥0.283
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

SSM3J334R,LF(B参数

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SSM3J334R,LF(B手册

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SSM3J334R,LF(B概述

产品概述:SSM3J334R,LF(B) 绝缘栅场效应管(MOSFET)

1. 产品简介

SSM3J334R,LF(B) 是一款由东芝(TOSHIBA)公司推出的绝缘栅场效应管(MOSFET),它采用了小型化的SOT-23F-3封装形式,专为低电压应用而设计。MOSFET是一种广泛应用于电源管理、开关电路和模拟信号处理等领域的半导体器件,其优良的开关特性、低开关损耗以及高输入阻抗,使其在现代电子设备中占据了重要的位置。

2. 主要特性

  • 封装类型:SOT-23F-3,适合紧凑型电路设计,节省空间,同时便于表面贴装(SMD)。
  • 低导通电阻:该MOSFET具有极低的R_DS(on)(导通状态下的电阻),在降低功率损耗和提供更高的效率方面显示出卓越的性能。
  • 高电流承载能力:SSM3J334R,LF(B)能够承受较大的载流量,非常适合用于对电流要求较高的场合。
  • 宽工作温度范围:其较宽的工作温度范围使得该器件在各种恶劣环境条件下依然能够稳定工作,增强了其可靠性。
  • 低栅极驱动电压:驱动电压需求较低,便于控制电路设计。

3. 电气特性

SSM3J334R,LF(B)的电气特性显示其在各种动态和静态条件下的性能。例如,最大漏极电压(V_DS)和最大漏极电流(I_D)等参数非常适合于要求高效能的应用。还具备良好的反向击穿电压,能有效防止由于过压导致的器件损坏。

4. 应用领域

SSM3J334R,LF(B)广泛应用于多个领域,尤其是在需要高效、低损耗开关的应用中,其主要应用方向包括:

  • 电源管理:用于开关电源(SMPS),DC-DC变换器等场合,能够提高能效,降低电源损耗。
  • 电机驱动:适合在电机控制方面使用,尤其是在无刷直流电机(BLDC)驱动中,由于其快速开关特性,能够有效地提高电机效率。
  • LED驱动:在LED照明应用中,用于控制LED的驱动电流,提供稳定的电流输出。
  • 消费电子产品:广泛应用于手机、平板电脑及其他便携式电子产品中,以增强电池的使用效率。
  • 汽车电子:在电动汽车与智能汽车中多用于电池管理系统及动力系统中。

5. 优势分析

东芝的SSM3J334R,LF(B)具有诸多优势,使其成为市场上竞争力的产品。小型封装设计使得其在多种应用中占据优势,使电路设计更加紧凑;而其卓越的电气性能表现则确保了在高效能系统中的稳定性与可靠性。

同时,东芝公司在半导体行业的深厚积累确保了产品的质量,良好的客户反馈也助力其进一步在市场中的拓展。对于设计工程师而言,使用SSM3J334R,LF(B)可以有效缩短开发周期,降低设计复杂度,加速产品上市时间。

6. 结论

SSM3J334R,LF(B)作为东芝公司的一款优秀MOSFET,不仅在性能上占据优势,其小型封装也为现代电子产品的设计提供了更大的灵活性。面向低电压应用及高开关频率的需求,SSM3J334R,LF(B)无疑是一个理想的选择,广泛应用于电源管理、电机驱动及消费电子等领域,适应当今市场对高效能与高可靠性器件的需求。