STU8N80K5

STU8N80K5 产品概述

STU8N80K5是一款高性能的N沟道MOSFET，属于STMicroelectronics的SuperMESH5™系列。该系列以出色的电气特性、低导通电阻和高耐压性能而闻名，广泛应用于各种电子电路中，如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动器等。STU8N80K5的设计旨在满足现代电子设备对高效率、高可靠性和良好热性能的需求。

关键参数

1. 电气特性

• 漏源电压（Vdss）: STU8N80K5的漏源耐压高达800V，这使得它在高压应用中非常有用，可以安全地处理电源系统中的高电压。
• 连续漏极电流（Id）: 在25°C时，STU8N80K5的连续漏极电流可达6A。这种能力使得该MOSFET能够在多种负载条件下可靠工作。
• 导通电阻（Rds(on)）: 在驱动电压为10V的条件下，最大导通电阻为950毫欧（@3A），这意味着在运作时能够有效减少功耗和热损耗，提高整体效率。
• 功率耗散: 最大功率耗散可达110W（在散热条件良好的情况下），确保MOSFET能够在高功率应用中长期稳定工作。

2. 驱动特性

• 栅极驱动电压: STU8N80K5要求的栅极驱动电压为10V，这使得其在标准的驱动条件下能够充分导通，减少开关损耗，提升响应速度。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 该MOSFET的栅极阈值电压最大值为5V（@100µA），确保在较低的栅极电压下也能开始导通，为设计师提供更大的灵活性。

3. 频率特性

• 输入电容（Ciss）: 在100V的条件下，输入电容最大为450pF。这一特性对于高频开关应用尤其重要，因为较低的输入电容有助于快速切换，降低开关损耗。

4. 温度特性

• 工作温度范围: STU8N80K5的工作温度范围为-55°C至150°C，广泛适用于高温环境，提升了其在恶劣条件下的可靠性。

封装与设计

STU8N80K5采用TO-251-3封装，这种封装设计便于通过通孔安装，适合各种PCB布局需求。该封装设计不仅有助于优化电气性能，还能有效管理热性能，确保元件在高功率应用中可靠工作。

应用领域

由于其卓越的性能参数，STU8N80K5广泛应用于：

• 开关电源: 提升电源转换效率，降低热损失，适用于电源适配器和电源管理电路。
• 电机驱动: 高效驱动各种直流和无刷电机，尤其是在低功耗应用中。
• 电动汽车: 可作为电池管理系统中的开关元件，实现高效能的电能转化。
• 工业控制: 在工控设备中，STU8N80K5能够有效提升系统的稳定性与可靠性。

总结

STU8N80K5是一款高效、可靠的N沟道MOSFET，凭借其出色的电气特性和宽广的应用领域，是设计工程师进行现代电子设备设计时的重要选择。无论是在高压、大电流的应用场合，还是在要求高效率和高可靠性的系统中，STU8N80K5都能提供卓越的性能，支持创新和进步。通过精心设计和高质量的制造工艺，它为电子系统提供了稳定而出色的性能支持，是现代电子技术不可或缺的组成部分。