SIRA60DP-T1-GE3

SIRA60DP-T1-GE3 产品概述

1. 产品背景

SIRA60DP-T1-GE3 是一款由威世（VISHAY）公司生产的高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及高效能的电机驱动等领域。这款 MOSFET 的设计旨在满足现代电子设备对高效率、高功率密度和高可靠性的需求。

2. 基本参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 持续漏极电流（Id）@ T_c = 25°C: 100A
• 驱动电压（Vgs）: 4.5V（最小Rds On）和10V（最大Rds On）
• 导通电阻（Rds On）:
  • 0.94毫欧 @ 20A，10V
• 阈值电压（Vgs(th)）: 2.2V @ 250µA（最大值）
• 栅极电荷（Qg）: 60nC @ 4.5V（最大值）
• 最大Vgs: +20V，-16V
• 输入电容（Ciss）: 7650pF @ 15V（最大值）
• 功率耗散: 57W（Tc）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 安装类型: 表面贴装型
• 供应商器件封装: PowerPAK® SO-8

3. 核心特性

SIRA60DP-T1-GE3 的最大漏源电压为 30V，允许它在中低压应用中表现出色。其高达 100A 的连续漏极电流能力，使其能够在极端负载条件下稳定运行，适用于高功率前端电路和功率管理系统。这款 MOSFET 以低导通电阻（0.94 mΩ）显著降低了功率损耗，进一步提升了系统的效率。

此外，Vgs(th) 的最大值为 2.2V，意味着该器件在较低的栅极电压下就可以启动，适应多种驱动策略。对于快速开关应用，栅极电荷（Qg）仅为 60nC，可以实现高效的开关特性，让系统以更高的频率运行，同时减少栅极驱动功耗。

4. 应用范围

得益于其优越的电气性能和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），SIRA60DP-T1-GE3 非常适合多种应用，如：

• 开关电源（SMPS）：用于DC-DC转换器、逆变器和其他电源模块，以提供高效能和高功率密度。
• 电机驱动：如直流电机和步进电机驱动器，能够承受高电流负载且确保稳定性和低热产生。
• 电压调节模块（VRM）：在计算机和通信设备中，用作高效的稳压组件。
• LED驱动电路：支持高电流应用，确保高亮度且不易过热。

5. 封装和安装

采用 PowerPAK® SO-8 封装，SIRA60DP-T1-GE3 可以在潮湿环境和空间受限的应用中实现通用的表面贴装，进一步方便了自动化生产的实现。此外，SO-8 封装有助于提高散热性能，降低热阻，以保持器件在极端环境下的可靠性。

6. 结论

SIRA60DP-T1-GE3 N 通道MOSFET 是一款优质的功率开关元件，能够满足广泛应用的性能需求。从其出色的电气特性到可靠的工作环境适应性，视乎对于高效能电路设计而言，它将是一个理想的选择。设计师和工程师可以凭借这个元件在提高整体系统效率和降低热影响方面获得良好的性能提升。