IRFL024NTRPBF
IRFL024NTRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.3nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
IRFL024NTRPBF手册
IRFL024NTRPBF概述
产品概述：IRFL024NTRPBF MOSFET
概述
IRFL024NTRPBF是英飞凌（Infineon）公司的一款高性能N沟道MOSFET，采用SOT-223封装，为各种应用提供了出色的电流承载能力和低通导电阻。这款器件的设计重点在于高效率、低热损耗以及宽广的工作温度范围，适用于需要高开关速度和高功率处理的场合，如开关电源、电机驱动、LED驱动和其他功率管理应用。
主要规格
- FET类型: N沟道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 55V
- 最大连续漏极电流（Id@25°C）: 2.8A
- 驱动电压: 10V（最大Rds On）
- 最大导通电阻（Rds(on)）: 75mΩ @ 2.8A, 10V
- Vgs(th)（阈值电压）: 最大4V @ 250µA
- 栅极电荷: 最大18.3nC @ 10V
- 最大Vgs: ±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大400pF @ 25V
- 功率耗散（Pd）: 最大1W（@ Ta）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 封装类型: SOT-223
- 供应商器件封装: TO-261-4，TO-261AA
性能优势
IRFL024NTRPBF MOSFET具有许多卓越的性能优势，使其成为各类应用的理想选择：
低导通电阻: 最大75毫欧的导通电阻确保在高电流工作时系统的能量损耗最小，能够有效提高系统的整体效率。
较高的电流承受能力: 2.8A的连续漏极电流能力使得该MOSFET能够处理较大的负载，适合电机驾驶和其他高功率需求的场合。
宽工作温度范围: 工作温度从-55°C到150°C，表明该器件在极端环境条件下仍能可靠运行，适用于汽车、工业设备以及航空航天等领域。
小型化封装: SOT-223封装的设计不但节省了PCB空间，同时也简化了安装过程。这对于消费电子和便携式设备尤为重要。
优越的开关特性: 该MOSFET具有快速的开关速度，推动了高频应用的发展，减少了开关损耗，进一步提升了系统效率。
应用场景
IRFL024NTRPBF广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源: 适用于DC-DC转换器及其他电源管理应用中可有效提供稳定的输出电压和电流。
电机驱动: 可用于控制直流电机或步进电机驱动电路，提供所需的电流和功率。
LED驱动: 高效的电流控制能力使它能够用于驱动LED照明、背光源等应用。
汽车电子: 由于其宽温范围和高可靠性，适合用于汽车电子系统中，例如灯光控制、动力转换等。
消费电子: 在智能手机、平板电脑和其他便携设备中用作功率开关。
结论
IRFL024NTRPBF MOSFET凭借其优越的性能参数和应用灵活性，成为了当前电子设计中不可或缺的元件之一。无论是用于高效能电源管理系统，还是在环境严苛的情况下工作，它的表现都值得信赖。选择IRFL024NTRPBF，将帮助设计者达到更高的系统性能，推动产品向更高的集成度和效率方向发展。