IS25LP016D-JNLE-TR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IS25LP016D-JNLE-TR

商品编码: BM0000035523
品牌 : 
ISSI(美国芯成)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
NOR FLASH 16Mbit SPI 800us 2.3V~3.6V SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.22
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.22
--
100+
¥2.58
--
750+
¥2.31
--
1500+
¥2.17
--
3000+
¥2.07
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

IS25LP016D-JNLE-TR参数

存储器格式闪存存储容量16Mb (2M x 8)
存储器接口SPI - 四 I/O, QPI, DTR安装类型表面贴装型
工作温度-40°C ~ 105°C(TA)技术FLASH - NOR
写周期时间 - 字,页800µs时钟频率133MHz
存储器类型非易失电压 - 供电2.3V ~ 3.6V

IS25LP016D-JNLE-TR手册

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无数据

IS25LP016D-JNLE-TR概述

IS25LP016D-JNLE-TR 产品概述

一、产品简介

IS25LP016D-JNLE-TR 是由美国芯成(ISSI)公司提供的一款高性能非易失性存储器,属于 NOR Flash 存储器系列。该产品具备 16Mb(2M x 8)的存储容量,采用 SPI(串行外设接口)协议,支持四个 I/O 端口和 QPI(四路数据传输)以及 DTR(双数据速率)模式。其出色的性能和稳健的工作温度范围(-40°C ~ 105°C)使其特别适合于各种严苛环境下的应用。

二、主要特性

  1. 存储容量:IS25LP016D-JNLE-TR 提供 16Mbit 的存储容量,适合中小型数据存储需求,能够满足多种应用场景。
  2. 接口特性:采用 SPI 四 I/O 接口,具有较高的数据传输速率,通常能达到 133MHz 的时钟频率,支持快速读取和写入操作。
  3. 写周期时间:该产品的写周期时间为 800µs,确保在快速应用程序中迅速完成数据更新和存储。
  4. 电压范围:电源供应电压范围为 2.3V 至 3.6V,广泛适应不同系统的需求,便于集成在低功耗设计中。
  5. 工作温度:IS25LP016D-JNLE-TR 在 -40°C 到 105°C 的宽广温度范围下稳定运行,适用于工业、汽车及其他严苛环境。

三、应用领域

IS25LP016D-JNLE-TR 的设计使其适合广泛的应用领域,以下是一些主要应用场景:

  1. 消费电子:如智能手机、平板电脑等便携式设备,提供快速的程序存储与数据管理。
  2. 工业控制:广泛应用于工业设备、传感器和仪器仪表中,能够在恶劣的工作条件下保证数据的可靠性。
  3. 汽车电子:在汽车电子控制单元(ECU)中存储关键数据,满足汽车行业对高温和长寿命的严格要求。
  4. 网络设备:在路由器和交换机中提供固件和配置数据存储,确保设备高效运行。

四、封装与安装

该产品采用 8-SOIC 封装,适合表面贴装(SMD)技术,使其在自动化生产线上易于装配和焊接。同时,紧凑的封装设计也帮助节省电路板空间。

五、性能优势

IS25LP016D-JNLE-TR 具备以下性能优势:

  • 高速度:相较于传统存储器,得益于 QPI 和 DTR 技术,这款 NOR Flash 存储器能够提供更高的数据传输速率。
  • 非易失性存储:即使在断电情况下,存储的数据也能够持久保存,适合存储重要的配置信息和状态数据。
  • 可靠性:该产品经过严格测试,符合高可靠性要求,尤其在长时间高温环境下仍能保持优异的性能。

六、总结

IS25LP016D-JNLE-TR 是一款强大而灵活的 NOR Flash 存储器,结合了高性能、非易失性、宽工作温度范围以及低功耗特点,极大地满足了现代电子产品对存储器的需求。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,IS25LP016D-JNLE-TR 都能够为设计者提供可靠的解决方案,是推动设备智能化的优秀选择。对于寻求高效、紧凑和高稳定性存储解决方案的工程师和设计者而言,IS25LP016D-JNLE-TR 无疑是一个理想的选择。