存储器格式 | 闪存 | 存储容量 | 16Mb (2M x 8) |
存储器接口 | SPI - 四 I/O, QPI, DTR | 安装类型 | 表面贴装型 |
工作温度 | -40°C ~ 105°C(TA) | 技术 | FLASH - NOR |
写周期时间 - 字,页 | 800µs | 时钟频率 | 133MHz |
存储器类型 | 非易失 | 电压 - 供电 | 2.3V ~ 3.6V |
IS25LP016D-JNLE-TR 是由美国芯成(ISSI)公司提供的一款高性能非易失性存储器,属于 NOR Flash 存储器系列。该产品具备 16Mb(2M x 8)的存储容量,采用 SPI(串行外设接口)协议,支持四个 I/O 端口和 QPI(四路数据传输)以及 DTR(双数据速率)模式。其出色的性能和稳健的工作温度范围(-40°C ~ 105°C)使其特别适合于各种严苛环境下的应用。
IS25LP016D-JNLE-TR 的设计使其适合广泛的应用领域,以下是一些主要应用场景:
该产品采用 8-SOIC 封装,适合表面贴装(SMD)技术,使其在自动化生产线上易于装配和焊接。同时,紧凑的封装设计也帮助节省电路板空间。
IS25LP016D-JNLE-TR 具备以下性能优势:
IS25LP016D-JNLE-TR 是一款强大而灵活的 NOR Flash 存储器,结合了高性能、非易失性、宽工作温度范围以及低功耗特点,极大地满足了现代电子产品对存储器的需求。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,IS25LP016D-JNLE-TR 都能够为设计者提供可靠的解决方案,是推动设备智能化的优秀选择。对于寻求高效、紧凑和高稳定性存储解决方案的工程师和设计者而言,IS25LP016D-JNLE-TR 无疑是一个理想的选择。