IRFU220PBF
IRFU220PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 800 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 260pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
IRFU220PBF手册
IRFU220PBF概述
产品概述：IRFU220PBF N通道MOSFET
基本信息
IRFU220PBF是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）生产。该器件具有优异的电气性能和广泛的应用潜力，特别适用于高压和高电流的开关应用。其封装类型为TO-251-3短引线封装，适合通孔安装，使其在电子电路中的适应性极强。
电气特性
IRFU220PBF的主要电气特性包含以下几点：
漏源电压（Vdss）：该MOSFET处理最高可达200V的漏源电压，适用于各种高压直流应用，如电源转换、驱动电路等。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，IRFU220PBF的最大连续漏极电流为4.8A（Tc）。这种能力使其适合中等到高功率的应用。
导通电阻（Rds On）：当测量在2.9A和10V驱动电压条件下，器件的最大导通电阻为800 mΩ，这保证了在开启状态下低损耗的性能，确保系统效率。
驱动电压（Vgs）：为实现最佳的导通状态，推荐的栅极驱动电压为10V，并且在此电压下，IRFU220PBF表现出优秀的导通特性。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：在250µA的条件下，器件的最大阈值电压为4V，这确保了其在适当的栅极电压下迅速导通。
栅极电荷（Qg）：该器件的最大栅极电荷为14nC（10V），意味着在高频开关应用中可以实现快速响应，降低开关损耗。
输入电容（Ciss）：在25V的Vds条件下，IRFU220PBF的输入电容为260pF，适合于PWM控制和高频信号处理。
功率耗散：最大可处理功率为2.5W（环境温度下）和42W（结温下），显示出器件在不同工作条件下的适应能力。
工作环境与可靠性
IRFU220PBF的工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），这使得该器件能够在极端的温度条件下稳定工作，适用于汽车电子、工业自动化及其他恶劣环境的应用。
应用领域
IRFU220PBF适用范围广泛，主要应用于：
- 开关电源：作为主开关器件，用于DC-DC转换器和AC-DC电源中。
- 电机驱动器：在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动应用中，用于高效开关控制。
- 电子负载：在测试和测量设备中作为电子负载，提供可调节的电流负载。
- 功率放大器：用于高频和RF功率放大器中，支持高效信号放大。
- 电池管理系统：在电池充放电管理中控制电流流向，实现安全和高效操作。
总结
IRFU220PBF N通道MOSFET凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围及出色的功率处理能力，成为电力电子领域中不可或缺的一员。它的设计专门针对高效开关和控制电路优化，适用于多种工业和消费电子应用，是高效能电路设计的理想选择。凭借VISHAY的可靠品质保证，IRFU220PBF无疑能为设计工程师提供坚实的性能支持。