DTC043TMT2L
DTC043TMT2L参数
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，10V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-723 | 供应商器件封装 | VMT3 |
DTC043TMT2L手册
DTC043TMT2L概述
DTC043TMT2L 产品概述
DTC043TMT2L 是 ROHM（罗姆）公司推出的一款高性能数字晶体管，采用 NPN 预偏置配置，专为各种低功耗电子应用而设计。其形态为表面贴装型，封装类型为 VMT3（SOT-723），具有优良的散热性能和小型化的优势，使其在产品设计中具有增值效应。
基本参数及特性
晶体管类型: DTC043TMT2L 是 NPN 型晶体管，采用预偏压配置，这使得其在静态工作条件下可以实现较好的线性放大特性，适合应用于开关电路及放大电路中。
电流与电压: 该元件的集电极电流（Ic）最大值为 100mA，集射极击穿电压（Vce）最大值为 50V，对于大多数消费电子和工业控制系统而言，这样的规格能够满足较广泛的应用需求。
增益性能: DTC043TMT2L 的直流电流增益（hFE）在 5mA 和 10V 条件下最小值为 100，确保其在要求较高的放大需求的电路中表现出色。高增益特性使得该晶体管能够在低基极电流条件下有效驱动较大的集电极电流，从而实现高效的电流控制。
低饱和压降: 在 500µA 和 5mA 的工作条件下，该晶体管的集射极饱和压降（Vce(sat)）最大值为 150mV，这意味着在开关状态时能够保持低功耗，特别适用于电池供电或低功耗应用环境。
截止电流: ICBO 最大值仅为 500nA，显示出该元件在关闭状态下具有非常低的漏电流，有助于提高电路的整体效率并延长电池寿命。
频率响应: DTC043TMT2L 的频率跃迁达到了 250MHz，适用于高频应用，如无线通信和高频开关，以满足现代电子设备对信号处理速度的需求。
功率处理: 该晶体管的最大功率为 150mW，能够在多个应用场景下安全工作，包括小型功率放大和开关控制等任务。
应用领域
DTC043TMT2L 被广泛应用于数字电路、开关电源、音频放大器、传感器接口以及其他各种电信和工业设备。其高效能及小型化设计特别适合于紧凑型设备和便携式应用，如移动通讯设备和手持终端。
设计考虑
在设计电路时，应合理选择基极电阻（如 4.7 kOhms）以确保适当的基极电流，从而实现理想的集电极电流输出。在高频应用环境下，需要仔细处理信号路径，以避免信号反射及衰减影响元件的性能。
总结
DTC043TMT2L 是一款高效、可靠的数字晶体管，凭借其优秀的电气性能和小型封装，成为各种现代电子设计的理想选择。凭借 ROHM 公司在半导体领域的深厚技术积累，这款晶体管不仅能满足一般的电流和电压需求，同时也在高频和低功耗性能方面表现出众，帮助工程师们实现更具创新性的电子产品设计。用户只需在应用中合理配置该元件，便能够有效地提升整体设计的性能和效率。