RD3P130SPTL1

产品概述：RD3P130SPTL1 P沟道MOSFET

基本信息

RD3P130SPTL1是一款由ROHM（罗姆）公司生产的高性能P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计关照到广泛的应用场景，适用于需要高功率和高电压的电子电路。该产品封装采用TO-252，便于表面贴装，具有较好的散热性能和机械强度，适合于现代电子设备的需求。

核心参数

• 安装类型：RD3P130SPTL1为表面贴装型（SMD），适合自动化生产线的快速组装与精确贴装。
• 导通电阻（Rds(On)）：在6.5A和10V的条件下，其最大导通电阻为200毫欧，极低的Rds(On)使其在导通状态下能有效减少功耗和发热，从而提高系统的效率。
• 漏极电流（Id）：该MOSFET能够承受的最大连续漏极电流为13A（在25°C绝缘环境下），这一特性使其在电源开关和负载驱动等应用中表现出色。
• 允许的漏源电压（Vdss）：该器件的漏源电压最大值为100V，适合于高电压场景的应用。
• 功率耗散：该MOSFET的最大功率耗散为20W（在Tc情况下），能够满足高功率需求的设计。

适用电压与电流

RD3P130SPTL1的工作电压等级和电流承载能力使其在多个电气环境下可放心使用。最高驱动电压为10V，栅-源电压Vgs范围为±20V，适应多种电路驱动方案。同时，其在不同Vgs条件下的栅极电荷最大值为40nC，因此在开关频率和开关损耗方面表现优异。

集成特性

• 输入电容：在25V下，输入电容（Ciss）为最大2400pF，适合高频率的操作环境。电容特性有助于提高开关速度，符合现代高效能电路的需求。
• 阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为2.5V（在1mA条件下），这表明该器件能够在较低的控制电压下进行开关操作，从而适应更为灵活的驱动方案。

工作温度范围

该MOSFET在高达150°C的环境温度下依然能够稳定工作，确保了在恶劣温度条件下的可靠性。其高温更为优越的性能，在工业控制、汽车电子及医疗设备等高要求领域中尤为重要。

应用场景

由于RD3P130SPTL1的优异特性，它非常适合用作开关电源、电动机驱动器、负载开关、功率放大器及其他需要高效率、高可靠性的电子电路。特别适合于电源管理、电信设备、可再生能源系统等领域的设计。

总结

RD3P130SPTL1是一款高效能、高耐久性、易于集成的P沟道MOSFET。其众多优越性能与广泛的工作条件，使其成为现代电子设备的理想选择。作为ROHM公司推出的优秀产品，本器件凭借其卓越的电气性能和可靠的工作特性，将为您的电路设计和系统功能提升带来极大的便利。无论是在功率整体管理还是在特定的应用设计中，RD3P130SPTL1都将是一个不容忽视的重要组件。