IRFH3702TRPBF
IRFH3702TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Ta），42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.1 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1510pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（3x3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
IRFH3702TRPBF手册
IRFH3702TRPBF概述
产品概述：IRFH3702TRPBF
产品名称： IRFH3702TRPBF
类型： N沟道MOSFET
厂商： 英飞凌（Infineon）
封装： PQFN-8 (3x3mm)
最大漏源电压（Vdss）： 30V
最大连续漏极电流（Id）： 16A（在环境温度下）/ 42A（在电流温度下）
工作温度范围： -55°C 至 150°C
产品描述：
IRFH3702TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，专为各类高效能电力管理和驱动应用而设计。其优越的电气特性和紧凑的封装形式使其在众多应用中占据了重要地位。
主要特性：
高电压和电流容量：
IRFH3702TRPBF的漏源电压最大可达30V，在16A的连续漏极电流下，表现出色，可在各类功率电路中提供强有力的支持。在温度升高的情况下，最高的脉冲电流可达42A，适用于冲击负载条件。低导通电阻（Rds(on)）：
在10V栅压下，导通电阻最大值为7.1mΩ，展示了其在大电流情况下的优秀低损耗性能。较低的导通电阻不仅有助于減少能量损失，还可以提高系统的效率，尤其在开关电源和电机驱动等领域。优异的开关性能：
在4.5V的驱动电压下，栅极电荷最大值为14nC，使得IRFH3702TRPBF在高频率开关操作中表现卓越，大大提高了开关速度，适用于高频率应用。这使得其非常适合同步整流、DC-DC转换器等应用场景。温度稳定性：
该器件的工作温度范围从-55°C到150°C，能够适应极端环境，确保在各种严苛条件下的可靠运行。加之其功率耗散最大为2.8W，这为散热设计提供了便利。表面贴装设计：
IRFH3702TRPBF采用PQFN-8 (3x3mm)的封装设计，非常适合现代电子设备的小型化需求。其小巧的体积极大地节省了电路板空间，适合用于精密及空间紧凑的电子应用。
应用场景：
IRFH3702TRPBF非常适合在以下应用中使用：
- DC-DC转换器： 由于其低导通电阻和高效能，适合用于电源管理及升降压转换中。
- 电动机驱动： 能够承受高电流和频繁的开关操作，适用于电动机驱动电路。
- LED驱动电源： 在LED驱动电源中提供高效率和低热量生成，确保长时间稳定工作。
- 电源开关： 在家用电器和工业设备中作为开关使用，以控制电源的开启与关闭。
结论：
IRFH3702TRPBF是一款性能可靠、适应性强的N沟道MOSFET，具有出色的低导通电阻、高电流承载能力和宽温度范围。其紧凑的PQFN封装使其非常适合现代电子设备的设计需求，非常适用于需要高效电源管理的各类电子应用。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，IRFH3702TRPBF都展示了出色的性能与可靠性，值得推荐给工程师及设计师作为优选的电子元件。