功率(Pd) | 5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 52pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.2mΩ@10V,34A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.652nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 34A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
AON7262E 是一款高性能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),专为高频开关电源和功率放大等应用设计。凭借其优越的电气性能和紧凑的封装设计,AON7262E 在电源管理、汽车电子和工业控制领域表现出色。作为 AOS 品牌的一部分,该元件代表了高效能与可靠性的完美结合。
低导通电阻: AON7262E 拥有极低的导通电阻,通常在 10mΩ 级别,能够显著减少功率损耗,提高整体系统效率。
高开关频率: 该 MOSFET 具备快速开关特性,使得其适应高频工作环境,可以有效提升开关电源的性能,降低开关损耗。
优越的热性能: AON7262E 在设计上考虑到了热管理,确保在长时间高负载工作时能够有效散热,延长了元件及系统的使用寿命。
良好的驱动能力: 由于其低的栅极驱动电荷,AON7262E 可以使用较低的驱动电压工作,简化了电路设计并降低了驱动电路的功耗。
AON7262E 的多种特性使其适用于广泛的应用场合:
AON7262E 是一款集合高功率处理能力、低功耗、良好的散热性能及小型化设计的 N 沟道 MOSFET。凭借其广泛的应用场景以及更为出色的性能参数,AON7262E 为各种电气设备提供了可靠的解决方案。无论是在高频开关电源、汽车电子,还是在工业控制方面,AON7262E 都能为用户提供高效、稳定的性能,满足当今电子电路日益增长的需求。