SMUN5211T1G

SMUN5211T1G 产品概述

概述

SMUN5211T1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的高性能 NPN 数字晶体管。其设计旨在适应多种电子应用，特别是在小型表面贴装设备中，凭借其优越的电气性能和紧凑的封装，广泛应用于信号放大、开关电源以及逻辑电路中。

主要参数

SMUN5211T1G 具有以下关键规格：

• 晶体管类型：NPN - 预偏压
• 集电极电流（Ic）的最大值：100mA
• 集射极击穿电压（Vce(max)）：50V
• 基极电阻（R1）：10 kOhms
• 发射极电阻（R2）：10 kOhms
• 直流电流增益（hFE）：在 5mA 和 10V 下的最小值为 35
• 饱和压降（Vce(sat)）：在 300µA 和 10mA 时最大值为 250mV
• 集电极截止电流（Ic(max)）：500nA
• 最大功率：202mW
• 安装类型：表面贴装型
• 封装类型：SC-70, SOT-323
• 供应商器件封装：SC-70-3（SOT323）

设计特点

SMUN5211T1G 的 NPN 晶体管设计以其较高的工作频率和较低的功耗著称，适合用于各种数字电路和模拟应用。其预偏压特性使得该器件更具灵活性，可以有效地与其他器件配置在不同的电路拓扑中，特别是在低功耗和高效率要求的电源管理应用中。

该晶体管的电流增益（hFE）是衡量其放大能力的重要参数。在一定的集电极电流（Ic）下，SMUN5211T1G 的 hFE 值可达到 35，这为设计师在设计放大电路时提供了广泛的选择。高hFE意味着需要的基极电流（Ib）较小，从而使得电路设计更为灵活。

应用领域

由于其紧凑的封装（SC-70），SMUN5211T1G 特别适合于空间受限的应用场合。该晶体管广泛应用于：

• 便携式电子设备：在手机、平板电脑及可穿戴设备中，用于开关控制和信号放大。
• 消费类电子产品：如电视、音响系统中的音频信号放大。
• 汽车电子：用于传感器的信号处理和控制电路。
• 工业设备：可用于自动化控制中，提升设备的响应速度和精确度。

结论

SMUN5211T1G 作为一款性能卓越的 NPN 数字晶体管，以其高集电极电流能力、低饱和压降和高增益特性，成为设计低功耗、高效率电子设备的重要组成部分。借助于安森美的先进制造技术和严格的品质控制，该器件不仅满足现代电子设备日益增长的性能需求，并且在兼顾高效能与小型化设计要求的同时，也为设计师们提供了经济高效的解决方案。通过合理选用 SMUN5211T1G，用户可以实现优异的电气性能和可靠的长期稳定性。