通道数 | 2 | 电压 - 隔离 | 2500Vrms |
电流传输比(最小值) | 100% @ 1mA | 接通 / 关断时间(典型值) | 7.5µs,5.7µs |
上升/下降时间(典型值) | 3.2µs,4.7µs | 输入类型 | DC |
输出类型 | 晶体管 | 电压 - 输出(最大值) | 30V |
电流 - 输出/通道 | 150mA | 电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.05V |
电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 60mA | Vce 饱和压降(最大) | 400mV |
工作温度 | -40°C ~ 100°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
MOCD217M 是一款由安森美(ON Semiconductor)制造的高性能光耦合器,专为实现高效隔离和信号传输而设计,适用于多种工业和消费电子应用。该产品采用表面贴装型(SMD)8-SOIC封装,具有优异的电气特性和可靠性,适合于空间有限的现代电子设备。
通道配置: MOCD217M 具有双通道设计,使其能够在单个封装内提供两个独立的信号传输通道。这一特性极大地提高了设备的设计灵活性,使开发人员能够在需要多通道隔离的应用中有效节省空间和资源。
高电压隔离: 该产品具备2500Vrms的电压隔离能力,有效地防止高电压电路中的干扰信号传递到低电压控制电路。这样的隔离能力使得 MOCD217M 特别适合于在电源管理、工业自动化、以及医疗设备等高电压环境中的应用。
电流传输比与输出能力: MOCD217M 的电流传输比高达100%(在1mA的输入电流下),在输出端可提供最大150mA的电流。这一特性保证了在不同负载条件下信号的强度和稳定性。
快速响应时间: 该光耦合器的典型接通/关断时间分别为7.5µs和5.7µs,上升/下降时间为3.2µs和4.7µs。这使得 MOCD217M 能够适应快速切换的应用需求,确保信号的准确传递和快速反馈。
兼容性强的输出类型: MOCD217M 使用晶体管输出(Phototransistor Output),最大输出电压可达30V,适用于多种驱动负载。其Vce饱和压降(最大值)为400mV,使其在开关操作中保持较低的能量损耗。
MOCD217M 广泛应用于以下领域:
MOCD217M 的工作温度范围为 -40°C 到 100°C,保证了该器件在严苛环境中的稳定性和长期可靠性。这对于需要在高温、高湿度等恶劣条件下工作的设备尤为重要。
该产品的封装为8-SOIC(宽度为3.90mm),适合于表面贴装的电子电路设计,优化了元器件的安装和焊接效率。设计人员在布局PCB时,可快速实现高性能的电路设计。
MOCD217M 是一款功能强大且灵活的光耦合器,具有优异的电气性能和可靠性,适用于广泛的工业控制、数据传输及电源管理等应用。其双通道设计、高隔离电压以及快速响应时间赋予了其在现代电子设备中的重要地位。随着电子设备对安全性和可靠性的要求不断提高,MOCD217M 将成为开发者、设计师必不可少的首选元器件。