功率(Pd) | 400W;6.2W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.05mΩ@10V,20A | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 240nC@10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 15.35nF@15V |
连续漏极电流(Id) | 60A;400A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
AONS32310是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),设计功率达到400W,额定电压为30V,最大连续电流为60A,瞬态电流可达到400A。该元器件封装采用8-DFN(5x6)型式,适合于要求空间紧凑和高散热能力的应用场合,是电源管理、DC-DC转换器、马达驱动等电路中的理想选择。
技术参数:
电气特性:
AONS32310被广泛应用于多种电子产品和系统中,主要包括但不限于:
开关电源(SMPS): 该MOSFET在开关电源中起到关键作用,具备高效的转换能力,以及优良的导通电阻特性,能够在不断变化的负载条件下维持高效率。
DC-DC转换器: 特别适合于升压和降压转换器,可以在同一个设备中实现高效的电压转换,满足不同负载的需求。
马达驱动: 此器件在电机控制应用中尤为重要,能够提供高电流输出和较高的电流峰值,支持直流电机和步进电机的驱动。
其他功率管理应用: 能够用于电池管理系统、LED照明以及其他需要高可靠性和高效性的小型设备中。
高效散热能力: DFN封装设计不仅节省了PCB空间,还能够高效散热,降低工作温度,提高整体可靠性。
低导通电阻: 小于8毫欧的导通电阻使得器件即使在高电流条件下也能保持较低的功耗,提升能源利用率。
高开关速度: 适合高频率应用,能够满足现代电子设备对高效能和快速反应的需求。
安全性高: 由于其良好的热特性和电流承载能力,AONS32310可在诸如短路和过载等恶劣条件下,保持稳定的工作状态。
AONS32310是一款具备卓越性能的N沟道MOSFET,凭借其高功率处理能力、低导通电阻和快速开关特性,成为了多种高效能电子产品的首选器件。无论是在电源管理、马达驱动还是其他功率控制应用中,AONS32310均展现出其出色的性能和可靠性,满足现代电子应用日益增长的需求。对于设计师而言,选择AONS32310不仅能够提升整体电路的性能,还能够增强系统的稳定性和可靠性。