制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 265mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 欧姆 @ 200mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA | Vgs(最大值) | ±20V |
功率耗散(最大值) | 310mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.49nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 20.2pF @ 30V |
NX138BKR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其专为高效能应用而设计,能够满足各种电子设备的需求。这款 MOSFET 在 25°C 环境下,具有连续漏极电流(Id)265mA 的能力,支持多种电压驱动选项,适用于低功耗和高频开关应用。
NX138BKR 可广泛应用于各种电力电子产品和电路中,包括:
综上所述,NX138BKR 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和宽泛的应用范围,使其在多种场合中成为理想的选择。无论在高频开关还是高功率应用中,NX138BKR 都展示了它的卓越性能,为设计工程师提供了可靠的解决方案,促进了电子产品的性能和能效提升。