NX138BKR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NX138BKR

商品编码: BM0000035348
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 310mW 60V 265mA 1个N沟道 TO-236AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.253
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.253
--
200+
¥0.163
--
1500+
¥0.141
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

NX138BKR参数

制造商Nexperia USA Inc.包装卷带(TR)
零件状态有源FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)265mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µAVgs(最大值)±20V
功率耗散(最大值)310mW(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装TO-236AB
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3漏源电压(Vdss)60V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)0.49nC @ 4.5V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)20.2pF @ 30V

NX138BKR手册

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NX138BKR概述

NX138BKR 产品概述

一、产品介绍

NX138BKR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其专为高效能应用而设计,能够满足各种电子设备的需求。这款 MOSFET 在 25°C 环境下,具有连续漏极电流(Id)265mA 的能力,支持多种电压驱动选项,适用于低功耗和高频开关应用。

二、技术规格

  1. 制造商:Nexperia USA Inc.
  2. 零件状态:有源
  3. 器件封装:TO-236AB,兼容 SOT-23-3 及 SC-59 等封装。
  4. FET 类型:N 通道
  5. 驱动电压:支持 2.5V 和 10V 的最大 Rds On 和最小 Rds On。
  6. 电流规格
    • 连续漏极电流(Id):265mA(Ta)
    • 导通电阻(Rds(on)):在 200mA 和 10V 时,最大值为 3.5 欧姆。
  7. 阈值电压
    • 不同 Id 时 Vgs(th) 最大值为 1.5V @ 250µA,显示出其低门极开启电压的特点,适合低电压驱动的应用。
  8. 栅极源电压(Vgs):最大值 ±20V,提供了灵活性和多样性。
  9. 功率耗散:最大值为 310mW(Ta),适用于多个高功率应用场景。
  10. 工作温度范围:从 -55°C 到 150°C (TJ),确保其在极端环境下也能稳定运行。
  11. 漏源电压(Vdss):60V,适应更高电压的应用需求。

三、性能特点

  • 高效率:该 MOSFET 的低导通电阻(Rds(on))意味着在开启时可以降低能量损耗,提升整体系统的功率效率。
  • 快速开关:其引线电荷(Qg)为 0.49nC @ 4.5V,输入电容(Ciss)为 20.2pF @ 30V,支持快速开关,适用于高频开关应用,如驱动电机或开关电源。
  • 宽广的工作温度:其工作温度范围如此广泛,使得 NX138BKR 能够在恶劣的环境中稳定工作,广泛应用于汽车电子、工业控制和消费电子等领域。

四、应用领域

NX138BKR 可广泛应用于各种电力电子产品和电路中,包括:

  1. 开关电源:利用其低 Rds(on) 特性,提升开关电源的性能和效率。
  2. 电机驱动:在电机驱动器中,NX138BKR 可以作为功率开关,快速地控制电机的启停和速度调节。
  3. 信号开关:适用于低功耗信号开关,能够有效控制信号的开关状态。
  4. 电池管理:在电池管理系统中,用于监控电路,提高整体电源管理的智能性和效率。

五、总结

综上所述,NX138BKR 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,凭借其出色的电气特性和宽泛的应用范围,使其在多种场合中成为理想的选择。无论在高频开关还是高功率应用中,NX138BKR 都展示了它的卓越性能,为设计工程师提供了可靠的解决方案,促进了电子产品的性能和能效提升。