功率(Pd) | 50W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@5A,10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 33nC@10V | 漏源电压(Vdss) | 650V |
类型 | 1个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.645nF@25V |
连续漏极电流(Id) | 10A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA |
AOTF10N65 是一款高性能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),封装形式为 TO-220F。这种场效应管在电源开关、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中应用广泛,归功于其较高的效率、良好的热管理性能和强大的电流承载能力。这款 MOSFET 的额定功率为 50 W,耐压高达 650 V,连续电流可达 10 A,使其在多种高电压和高电流的场景中表现出色。
AOTF10N65 的工作原理基于场效应管的控制特性。在该元件中,沟道的导电性由栅极施加的电压控制。当栅极电压超过阈值时,MOSFET 开始导通,形成从源极到漏极的通路。由于该器件是 N 沟道类型,栅极电压越高,漏极电流的导通程度越强,从而实现对负载的精确控制。在关闭状态下,MOSFET 的漏-源电阻极小,有助于降低电路中的功耗,提高整体系统的能效。
AOTF10N65 N 沟道场效应管是一款结合了高效率、强电流能力和良好散热特性的优质产品,非常适合电源、转换器及电机驱动等应用。针对现代电力电子设计需求,AOS 的这款 MOSFET 通过高性能特性和可靠性为电子工程师提供了强有力的支持。无论是在高压电源还是电机控制应用中,AOTF10N65 都是一种理想选择,能够有效提升系统的性能和稳定性。