AOTF10N65 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AOTF10N65

商品编码: BM0000035336
品牌 : 
AOS
封装 : 
TO-220F
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 50W 650V 10A 1个N沟道 TO-220F
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
7.01
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥7.01
--
100+
¥5.93
--
1000+
¥5.65
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

AOTF10N65参数

功率(Pd)50W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1Ω@5A,10V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
栅极电荷(Qg@Vgs)33nC@10V漏源电压(Vdss)650V
类型1个N沟道输入电容(Ciss@Vds)1.645nF@25V
连续漏极电流(Id)10A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA

AOTF10N65手册

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AOTF10N65概述

AOTF10N65 产品概述

1. 产品背景

AOTF10N65 是一款高性能的 N 沟道场效应管 (MOSFET),封装形式为 TO-220F。这种场效应管在电源开关、DC-DC 转换器、电机驱动等应用中应用广泛,归功于其较高的效率、良好的热管理性能和强大的电流承载能力。这款 MOSFET 的额定功率为 50 W,耐压高达 650 V,连续电流可达 10 A,使其在多种高电压和高电流的场景中表现出色。

2. 主要特性

  • 类型: N 沟道场效应管
  • 最大驱动电压: 650 V - 能够有效处理高压应用,适用于各种电源和转换器电路。
  • 最大持续电流: 10 A - 可满足中等电流要求的应用,适合电机驱动和其他负载控制。
  • 最大功率: 50 W - 能够在效率较高的情况下处理相对较大的功率。
  • 封装形式: TO-220F - 具有良好的散热性能,适合高功率密度的应用,方便与散热器配合使用。

3. 工作原理

AOTF10N65 的工作原理基于场效应管的控制特性。在该元件中,沟道的导电性由栅极施加的电压控制。当栅极电压超过阈值时,MOSFET 开始导通,形成从源极到漏极的通路。由于该器件是 N 沟道类型,栅极电压越高,漏极电流的导通程度越强,从而实现对负载的精确控制。在关闭状态下,MOSFET 的漏-源电阻极小,有助于降低电路中的功耗,提高整体系统的能效。

4. 应用领域

  1. 开关电源: AOTF10N65 可用于高频开关电源设计中,通过快速开关和控制实现高效的电能转换。
  2. DC-DC 转换器: 此器件能够在转换电压的过程中,提供高效的电流控制,满足不同电压等级之间的需求。
  3. 电机驱动和控制: 在电机控制领域,AOTF10N65 的高电流和高耐压特性使其非常适合用作电机驱动的开关元件,能够实现精确的调速和功率控制。
  4. 照明控制: 在LED驱动和其他照明控制应用中,MOSFET 的快速开关特性有利于提高光效和节能效果。

5. 优势与竞争力

  • 高效率: AOTF10N65 的杰出导通特性和较低的导通电阻使得其在各种工作条件下都能保持高效率,降低了系统的热损耗。
  • 强壮的电流能力: 该产品的最大电流为 10 A,适合大多数中等应用,而不需要复杂的散热解决方案。
  • 散热性好: TO-220F 封装设计使得元件能够方便地与散热器配合使用,保证在高功率应用中不会因热量积聚而导致故障。
  • 广泛的适用性: 凭借其高耐压和高电流特性,AOTF10N65 在多种电力电子应用中拥有极为广泛的适用性。

6. 结论

AOTF10N65 N 沟道场效应管是一款结合了高效率、强电流能力和良好散热特性的优质产品,非常适合电源、转换器及电机驱动等应用。针对现代电力电子设计需求,AOS 的这款 MOSFET 通过高性能特性和可靠性为电子工程师提供了强有力的支持。无论是在高压电源还是电机控制应用中,AOTF10N65 都是一种理想选择,能够有效提升系统的性能和稳定性。