PESD5V0L4UG,115
PESD5V0L4UG,115参数
| 极性 | Unidirectional | 峰值脉冲电流（10/1000us） | 2.5A |
| 箝位电压 | 13V | 击穿电压（最小值） | 6.46V |
| 反向关断电压（典型值） | 5V (Max) | 类型 | 齐纳 |
| 单向通道 | 4 | 电压 - 反向断态（典型值） | 5V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 6.46V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 13V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 2.5A（8/20µs） | 功率 - 峰值脉冲 | 30W |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
| 不同频率时电容 | 16pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 |
| 供应商器件封装 | 5-TSSOP |
PESD5V0L4UG,115手册
PESD5V0L4UG,115概述
PESD5V0L4UG,115 产品概述
PESD5V0L4UG,115 是由安世半导体（Nexperia）生产的一款高效能 ESD 二极管，特别设计用于保护电子设备免受静电放电（ESD）和电压浪涌造成的损害。该器件结合了出色的电气性能和紧凑的封装，广泛应用于多种电子产品中，确保在恶劣电磁环境中设备的可靠运行。
关键特性与规格
极性与通道配置： PESD5V0L4UG,115 是单向二极管（Unidirectional），具有4个单向通道设计，能够在保护电路中高效、可靠地反向承受电压，有效防止ESD对敏感元器件造成影响。
电气参数：
- 击穿电压：该器件具有最小击穿电压为6.46V，能在高电压条件下工作。其典型反向关断电压为5V（最大），确保在正常操作范围内不会出现触发。
- 箝位电压：在最大的峰值脉冲电流下（10/1000μs，为2.5A），箝位电压被限制在13V，有效防止过电压情况对电路的损害。
- 电流承受能力：具有高达2.5A的峰值脉冲电流承受能力（10/1000µs），并且在8/20µs的情况下也能维持稳定的性能，适合应对一些瞬态的电流冲击。
工作温度与可靠性： PESD5V0L4UG,115 可以在-65°C 到 150°C 的广泛温度范围内工作，这使得该器件适合在极端环境中使用，保证了其高度的可靠性与稳定性。
频率特性： 在高频应用中，该器件的电容为16pF（在1MHz下测量），适合在高频数据信号传输的场合下使用，确保其不会影响总线路的信号质量。
封装与安装： PESD5V0L4UG,115 采用表面贴装型封装（TSSOP-5），该封装尺寸小、占用空间少，能够满足现代电子产品日益紧凑的设计需求，特别是在移动设备和便携式应用中表现出色。
应用领域： PESD5V0L4UG,115 适用于多种通用应用，包括手机、平板电脑、计算机及其配件、家用电器及车载电子设备等。这使得它在目前的电子行业中占有一席之地。
应用场景
在当今的智能设备中，静电放电（ESD）是导致设备故障的主要原因之一。采用 PESD5V0L4UG,115 作为 ESD 保护器件，可以有效降低电子元器件因瞬态电压尖峰（如静电放电、浪涌电压）造成的损害，提升产品的耐用性与可靠性。特别是在敏感元件（如微处理器、传感器和射频组件）的保护中，该器件的应用尤为突出。
结论
综上所述，PESD5V0L4UG,115 是一款性能卓越、可靠性高的 ESD 二极管，特别适用于需要高电压保护的电子设备。其广泛的工作温度范围、出色的电流承受能力以及小巧的封装形式，使其在各种电子应用中极具价值。无论是在消费者电子产品还是工业设备中，该产品都能有效保护电路，减少因静电和过电压造成的损坏，为设计师们提供了理想的解决方案。