制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100mA | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 1 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
功率 - 最大值 | 250mW | 基本产品编号 | PDTA113 |
PDTA113ZT,215是由Nexperia USA Inc.生产的一款高性能PNP型数字晶体管,采用了预偏置设计,专为高效能电子元器件应用而开发。该元件广泛应用于各种数字和模拟电路中,为设计师提供了优良的电气特性和易于集成的解决方案。
PDTA113ZT,215具有重要的电气特性,其主要参数如下:
PDTA113ZT,215采用了先进的预偏置PNP结构,使得其具备以下设计优势:
PDTA113ZT,215可以应用于各种电子设备和电路设计中,例如:
在实际应用中,可以利用基极电阻器 (R1: 1 kOhms) 和发射极电阻器 (R2: 10 kOhms) 配置,形成基本的放大电路,增强电流放大能力。同时这些参数的选定也可以帮助设计师进一步优化电路性能,降低功耗。
总体来看,PDTA113ZT,215是一款性能优越、应用广泛的PNP型数字晶体管,凭借其高增益、低饱和压降和小型化封装,使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在专业的电子产品开发,还是在学生和爱好者的实验项目中,PDTA113ZT,215都能为设计师提供强大的支持和便利。
选择PDTA113ZT,215,不仅是选择了一款优秀的电子元器件,更是看中了其在未来电子技术发展中的大潜力与应用前景。