PEMD2,115 产品实物图片
PEMD2,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PEMD2,115

商品编码: BM0000035273
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-666
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置 SOT-666
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.483
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.483
--
200+
¥0.311
--
2000+
¥0.271
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

PEMD2,115参数

晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)22 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)22 千欧不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)1µA
功率 - 最大值300mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-666

PEMD2,115手册

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PEMD2,115概述

产品概述: PEMD2,115 - 数字晶体管模块

PEMD2,115 是一款高性能的双极性晶体管模块,采用了Nexperia(安世)公司的先进技术。该产品包含一对预偏置式的NPN和PNP晶体管,设计用于各种电子应用中,尤其是在低功耗、高效率的电路中。其独特的SOT-666封装使得在空间受限的应用中依然能够实现高效的散热和电路布线。

关键参数

晶体管类型

PEMD2,115模块包含1个NPN和1个PNP晶体管。这种组合不仅提高了电路的设计灵活性,还能够简化电路设计过程。预偏压式设计使得晶体管在开关操作中能够快速响应,适合于数字电路中的快速开关及放大应用。

集电极电流(Ic)

该产品的最大集电极电流为100mA,能够满足大部分消费电子及工业控制系统对功率放大和开关操作的需求。这一参数确保了PEMD2,115能够处理常见的负载,同时具备了较强的输出能力。

集射极击穿电压(Vce)

模块的最大集射极击穿电压为50V,确保了在高电压环境下的安全操作。这一功能使得PEMD2,115非常适合用于电源驱动类应用及其它需要高电压保护的场合。

基极及发射极电阻

该晶体管模块的基极电阻(R1)和发射极电阻(R2)均为22千欧。这样的设计保证了晶体管在不同工作条件下的稳定性和一致的性能,防止过载和失效。

DC电流增益(hFE)

在5mA的基极电流与5V的操作电压下,稳定的DC电流增益为60(最小值)。这一参数表明了该模块在信号放大时的有效性,特别是在模拟信号处理和数字开关电路中。

Vce饱和压降

PEMD2,115针对不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)在饱和状态下的Vce最大压降为150mV(对应于500µA的Ib和10mA的Ic)。较低的饱和压降意味着更高的功率效率,减少在开关操作时的能量损耗。

最大电流截止

该设备在截止状态下的最大集电极电流为1µA,保证了在非工作状态时的低功耗特性,适合于便携式和低功耗产品设计。

功率处理能力

PEMD2,115的最大功率处理能力为300mW,使其能够在多种环境中可靠地工作,广泛应用于汽车电子、消费电子、工业控制和信号处理等领域。

安装类型及封装

采用表面贴装型(SMD)封装的SOT-666提供了更好的兼容性和更高的附着力,适合自动化生产线的批量生产。此外,SOT-666封装的紧凑性和优越的散热性能保证了在高密度PCB设计中的有效应用。

应用场景

PEMD2,115适应广泛的应用需求,包括但不限于以下场合:

  • 数字电路开关: 可用于逻辑电路的开关控制。
  • 信号放大: 在音频处理及传感器信号放大中,提供稳定的增益性能。
  • 电源管理: 适合于开关电源、线性调节器和其他电源管理解决方案。
  • 通信设备: 可用于调制解调器及其他通信模块中的信号处理。

总结

综上所述,PEMD2,115作为一款高效、可靠的双极性晶体管模块,非常适合现代电子设计的需求。其强大的性能、灵活的应用范围和优越的电气特性让它成为了工程师在进行设计时的理想选择。无论是在消费电子、工业应用还是汽车电子中,PEMD2,115均能够提供卓越的性能表现,满足多样化的市场需求。