晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 22 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 22 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA |
功率 - 最大值 | 300mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-666 |
PEMD2,115 是一款高性能的双极性晶体管模块,采用了Nexperia(安世)公司的先进技术。该产品包含一对预偏置式的NPN和PNP晶体管,设计用于各种电子应用中,尤其是在低功耗、高效率的电路中。其独特的SOT-666封装使得在空间受限的应用中依然能够实现高效的散热和电路布线。
PEMD2,115模块包含1个NPN和1个PNP晶体管。这种组合不仅提高了电路的设计灵活性,还能够简化电路设计过程。预偏压式设计使得晶体管在开关操作中能够快速响应,适合于数字电路中的快速开关及放大应用。
该产品的最大集电极电流为100mA,能够满足大部分消费电子及工业控制系统对功率放大和开关操作的需求。这一参数确保了PEMD2,115能够处理常见的负载,同时具备了较强的输出能力。
模块的最大集射极击穿电压为50V,确保了在高电压环境下的安全操作。这一功能使得PEMD2,115非常适合用于电源驱动类应用及其它需要高电压保护的场合。
该晶体管模块的基极电阻(R1)和发射极电阻(R2)均为22千欧。这样的设计保证了晶体管在不同工作条件下的稳定性和一致的性能,防止过载和失效。
在5mA的基极电流与5V的操作电压下,稳定的DC电流增益为60(最小值)。这一参数表明了该模块在信号放大时的有效性,特别是在模拟信号处理和数字开关电路中。
PEMD2,115针对不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)在饱和状态下的Vce最大压降为150mV(对应于500µA的Ib和10mA的Ic)。较低的饱和压降意味着更高的功率效率,减少在开关操作时的能量损耗。
该设备在截止状态下的最大集电极电流为1µA,保证了在非工作状态时的低功耗特性,适合于便携式和低功耗产品设计。
PEMD2,115的最大功率处理能力为300mW,使其能够在多种环境中可靠地工作,广泛应用于汽车电子、消费电子、工业控制和信号处理等领域。
采用表面贴装型(SMD)封装的SOT-666提供了更好的兼容性和更高的附着力,适合自动化生产线的批量生产。此外,SOT-666封装的紧凑性和优越的散热性能保证了在高密度PCB设计中的有效应用。
PEMD2,115适应广泛的应用需求,包括但不限于以下场合:
综上所述,PEMD2,115作为一款高效、可靠的双极性晶体管模块,非常适合现代电子设计的需求。其强大的性能、灵活的应用范围和优越的电气特性让它成为了工程师在进行设计时的理想选择。无论是在消费电子、工业应用还是汽车电子中,PEMD2,115均能够提供卓越的性能表现,满足多样化的市场需求。