最大功率 | 400mW | 精度 | ±5% |
反向漏电流 | 0.5uA @ 6V | 稳压值(典型值) | 8.5V(Min)~9.6V(Max) |
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 15 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 6V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 200°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | 供应商器件封装 | LLDS;MiniMelf |
BZV55-C9V1,115 是由全球知名的半导体制造商 Nexperia(安世)出品的稳压二极管,专为电压稳定和电流限制应用设计。作为一种高性能的电子元器件,BZV55-C9V1,115 具备多种优势,包括优秀的稳压特性、高温域工作能力以及适合表面贴装(SMT)的封装形式,广泛应用于电源管理、线性稳压电源和其他电子设计中。
最大功率:该稳压二极管的最大功率为 400mW,意味着它可以承受一定的功率输入而不会出现失效或损坏的情况。这一参数对于集成电路或电源管理系统的设计至关重要。
稳压值:BZV55-C9V1,115 的标称稳压值为 9.1V,其典型稳压范围为 8.5V 至 9.6V。此特性使其能够在电压波动的条件下,依然稳定输出所需电压,为负载提供可靠的工作环境。
反向漏电流:在 6V 的情况下,该元器件的反向漏电流极低,仅为 500nA,进一步增强了其在电源应用中的可靠性和稳定性。
电压 - 正向 (Vf):在 10mA 的正向电流下,正向电压 Vf 为 900mV,这对于设计电路时需要注意的参数,以防止过大电压导致元器件发热。
数量颗粒和封装:BZV55-C9V1,115采用 SOD-80C-2 表面贴装封装,使得它在现代电子产品的紧凑设计中尤为适用。同时,该封装类型使得其焊接过程更加简便,提高生产效率。
工作温度:BZV55-C9V1,115 的工作温度范围广泛,从 -65°C 到 200°C,适用于多种环境条件和应用场景,特别是在高温或低温条件下要求稳定工作的场合。
阻抗(最大值):阻抗的最大值为 15 Ohms,该参数影响到二极管响应速度及其在电路中所表现出的性能。
BZV55-C9V1,115 稳压二极管广泛应用于多种领域,包括:
电源管理:在电源电路中用于稳压和电流限制,确保下游组件获得稳定的电压输出。
电池保护电路:在充电和放电过程中提供稳定的电压,防止过压或失效。
信号调理电路:用于降低电压的波动,提高信号的完整性,尤其在高噪声环境下尤为重要。
消费电子设备:如手机、平板电脑、笔记本电脑等,维护正常工作电压,保证设备操作的可靠性。
总体而言,BZV55-C9V1,115 稳压二极管凭借其优良的电气特性和多功能性,为电子设计师提供了一个理想的解决方案。凭借其低反向漏电流、高功率处理能力和宽广的工作温度范围,它在要求高可靠性和稳定性的应用中表现出色,可以大幅提升电路的性能。在现代电子设计和电源管理系统中,BZV55-C9V1,115 将是一个不可或缺的重要元器件。