晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 800mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 450mV @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 5µA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 100mA,1V |
功率 - 最大值 | 250mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
BCW66GR 是一款由安世(Nexperia)公司生产的 NPN 型晶体管。它被广泛运用于各种电子电路中,特别是在开关和放大应用中,因其具备良好的电气性能、较高的可靠性和适合现代电子设备小型化的特点而受到青睐。该产品采用表面贴装的 TO-236AB 封装,适合集成在多种 PCB 设计中,是现代电子设计的优选元器件之一。
BCW66GR 的电气特性使其非常适合用于线性放大和开关操作。其最大集电极电流能力为 800 mA,能够满足多种应用需求。在饱和状态下,其 Vce(sat) 最多仅为 500 mV,对于许多低功耗应用来说,这是一个非常理想的值,能够有效降低功耗并提高电路效率。
其截止电流 (ICBO) 最大为 5 µA,这确保了在关闭状态时晶体管的泄漏电流非常低,提升了电路的效率和稳定性。同时,hFE 值至少为 160,此参数表明了在适当的工作条件下,BCW66GR 能够提供良好的电流增益,这对于放大级电路尤其重要,使得小信号可以成功放大至所需的电平。
BCW66GR 的跃迁频率为 100 MHz,表明其在高频信号应用中也能表现良好。这种高频特性使得该晶体管在射频电路和高速数字电路中同样适用,能够满足诸如无线通信、信号处理等高速应用的要求。
BCW66GR 的最大功率为 250 mW,适用于大多数中小功率设计。在高温环境工作时,其工作温度上限达到 150°C,能确保其在极端条件下仍能稳定工作。然而,在实际应用中,高功率操作自然需要合适的散热管理,避免因过热而导致损坏。
该产品采用标准的 TO-236AB 表面贴装封装,这种封装形式为现代 PCB 设计所广泛接受,为设备的小型化和高密度集成设计提供了便利。封装体积小,有效降低了电路板的占用空间,同时也方便了自动化生产的安装过程。
由于其优秀的参数,BCW66GR 可广泛应用于各种电子产品中,例如:
BCW66GR 是一款功能强大的 NPN 晶体管,凭借其优异的电气特性、优良的散热能力和表面贴装封装设计,成为现代电子产品设计中不可或缺的元件之一。其广泛的应用范围和良好的性能特征,使其在开关和放大器电路中都能有效满足设计需求,为工程师在实际应用中提供了灵活选择的机会。选择 BCW66GR,您将拥有高性能和可靠性的保障。