晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 额定功率 | 250mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 20mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PDTA123ET,215 是由 Nexperia(安世半导体)制造的一款高性能 PNP 型数字晶体管。这款晶体管以其预偏压特点以及符合多种应用的灵活性,成为电子设计中的重要元件。产品采用 SOT-23-3 封装,具备小型化、便于表面贴装的特点,使其在空间受限的现代电子产品中非常适用。
PDTA123ET,215 适合于广泛的应用场景,包括但不限于:
PDTA123ET,215 是一款高性能的 PNP 型晶体管,设计上兼具了高集电极电流、优良的电流增益和小型封装,能够满足多种电子应用的需求。而其低功耗特性和优异的开关性能,使得它在现代电子设计中,尤其是在高效能和低功耗的要求日益突出的环境中,展现了极大的应用潜力。无论是在消费电子、工业控制,还是在新兴的物联网设备中,PDTA123ET,215 都将成为设计工程师的得力助手。