PMEG3010EP,115
PMEG3010EP,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr、F 时电容 | 170pF @ 1V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOD-128 | 供应商器件封装 | CFP5 |
| 工作温度 - 结 | 150°C（最大） | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 30V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 360mV @ 1A | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1.5mA @ 30V |
| 基本产品编号 | PMEG3010 |
PMEG3010EP,115手册
PMEG3010EP,115概述
PMEG3010EP,115 产品概述
概述
PMEG3010EP,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款肖特基二极管，特别设计用于低电压和高频率应用。该二极管以其极低的正向压降和快速恢复特性，在电子设计中具有广泛的应用潜力。其表面贴装型(SMD)封装为设计工程师提供了更好的空间利用率和降低了PCB设计的复杂性。
关键特性
肖特基二极管类型：PMEG3010EP,115 为肖特基二极管，这意味着它具有较低的正向压降（Vf）与极快的开关速度，使其极为适合用于整流和保护电路。
电流承载能力：该二极管支持最大平均整流电流（Io）为1A，对于许多电子应用来说，这样的能力能够满足低功率应用的需求，如电源管理和充电电路。
高频响应和恢复速度：PMEG3010EP,115 的快速恢复时间不超过500ns，这一性能使得其在高频信号的整流和开关作用中表现出色，减少了开关损耗，进而提升了整体电路的可靠性与效率。
额定反向电压：该器件的最大直流反向电压(Vr)为30V。这使其能够在相对较高反向电压条件下工作，是多种应用中理想的选择。
热性能：PMEG3010EP,115 的结温工作上限为150°C，其优异的热设计能承受更高的温度环境，从而提高了器件在恶劣工作条件下的可靠性。
低反向电流：在30V的逆向电压下，器件的反向泄漏电流仅为1.5mA，这一特性使其在节能设计中占据了一席之地。
电容特性：在1V和1MHz的状态下，其不同Vr、F条件下的电容值为170pF，适合高频操作的应用。
应用领域
PMEG3010EP,115 的特性使其非常适用于多种电子设备，包括但不限于：
- 电源整流：由于其低正向压降和高耐压能力，可以作为消费电子设备中的高效整流器。
- 充电电路：具有快速开关特性，可以在充电电路中有效实现电能转换，提升充电效率。
- 逆向保护电路：可以用于保护电路免受反接电流影响，确保设备的安全性。
- 电能转换设备：非常适合于DC-DC转换器和电源管理系统中，保证电能转换的高效性和稳定性。
封装设计
PMEG3010EP,115 采用 SOD-128 封装，具有较小的尺寸和良好的散热性能，使其在表面贴装的电路板上容易进行安装与焊接。该封装的紧凑性对于高密度电路设计尤为重要，有助于降低整体电路板面积。
总结
PMEG3010EP,115 是一款高性能肖特基二极管，具备低正向压降、快速恢复时间及高耐压能力，非常适合用于各类电子设备中。无论是在电源管理、充电、逆向保护，还是电能转换等场合，其出色的性能和可靠的工作特性使其成为设计和制造中不可或缺的元件。借助 Nexperia 作为其供应商的背书，PMEG3010EP,115 也确保了质量与一致性，为电子产品的稳定运行提供了坚实基础。