PMEG2010BER,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PMEG2010BER,115

商品编码: BM0000035253
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOD-123W-2
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
肖特基二极管 450mV@1A 20V 50uA@20V 1A SOD-123W
库存 :
3525(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.581
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.581
--
200+
¥0.4
--
1500+
¥0.364
--
3000+
¥0.34
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PMEG2010BER,115参数

制造商Nexperia USA Inc.包装卷带(TR)
零件状态有源二极管类型肖特基
电流 - 平均整流 (Io)1A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr、F 时电容185pF @ 1V,1MHz安装类型表面贴装型
封装/外壳SOD-123W供应商器件封装CFP3
工作温度 - 结150°C(最大)电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)20V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)450mV @ 1A不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50µA @ 20V
基本产品编号PMEG2010

PMEG2010BER,115手册

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PMEG2010BER,115概述

产品概述:PMEG2010BER,115 - Nexperia肖特基二极管

PMEG2010BER,115 是Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能肖特基二极管,具有卓越的电气特性和广泛的应用场景。这款二极管采用SOD-123W表面贴装型封装,旨在满足现代电子设备对稳定性、效率和占用空间的高要求。其主要特点如下:

主要技术参数

  • 制造商:Nexperia USA Inc.
  • 产品类型:肖特基二极管
  • 平均整流电流(Io):1A
  • 最大直流反向电压(Vr):20V
  • 正向电压(Vf):在1A时,正向电压为450mV,提供优良的导电性能。
  • 反向泄漏电流:在20V时,仅为50µA,表现出良好的隔离性能。
  • 工作温度范围:最大结温可达150°C,适合高温环境中的应用。
  • 电容特性:在1V、1MHz下的电容为185pF,适用于高频和高速开关电路。
  • 速度:可在≤ 500ns的快速恢复时间内工作,适合快速开关的应用场合。

应用领域

PMEG2010BER,115肖特基二极管广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:得益于其低正向电压特性,能够有效提高电源转换效率,降低功耗。
  2. 整流电路:在整流应用中,PMEG2010的高整流电流和低反向泄漏特性使其成为理想选择,保证了整流电路的稳定性。
  3. 反向保护:适用于电源线的反接保护,能够防止由于错误连接导致的设备损坏。
  4. LED驱动电路:其快速恢复特性确保LED闪烁时不会产生明显延时,从而提高光效与用户体验。
  5. 信号整形:在信号处理和调制解调器应用中,PMEG2010可以用于信号整形,改善信号质量。

封装与安装

PMEG2010BER,115采用SOD-123W封装样式,使其具备极小的占用空间,便于在紧凑型电路板上进行集成。其表面贴装技术(SMT)也简化了制造和装配过程,提高了生产效率。同时,采用卷带(TR)包装,便于自动贴片机进行高效生产。

性能优势

  1. 低正向压降:低Vf不仅提高了能效,而且降低了热损耗,延长设备的使用寿命。
  2. 高温工作能力:支持高达150°C的工作温度,使其在工业级和高温环境中运行稳定。
  3. 快速恢复:合适的反向恢复时间使其能够高效处理高频信号,尤其在开关电源或高频应用中表现卓越。
  4. 优越的反向泄漏特性:低泄漏电流特性确保器件在关断状态下消耗更少的电流,提高系统的整体效率。

结论

PMEG2010BER,115是用于现代电子设计的一种理想选择,凭借其卓越的电性能、高可靠性以及小巧的封装,为工程师和设计师提供了灵活而高效的解决方案。无论是在电源管理、信号处理还是反向保护等多个应用中,PMEG2010都能充分满足市场需求,并为最终产品的性能提升作出显著贡献。无论是在消费电子、通信设备还是工业应用中,Nexperia的这一肖特基二极管都是提升设计品质的可靠伙伴。