ZVP4525ZTA
ZVP4525ZTA参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 205mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 3.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±40V |
| 功率耗散（最大值） | 1.2W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 封装/外壳 | TO-243AA | 漏源电压（Vdss） | 250V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.45nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 73pF @ 25V |
ZVP4525ZTA手册
ZVP4525ZTA概述
产品概述：ZVP4525ZTA P沟道MOSFET
基本信息 ZVP4525ZTA是由Diodes Incorporated制造的一款高性能P沟道MOSFET，采用SOT-89-3封装，适用于表面贴装（SMD）技术。该器件具有较高的集成度和可靠性，适合各种电子电路和电源管理系统中的应用。其额定电压为250V，最大漏极电流为205mA，展现出优异的电气特性，广泛用于开关电源、LED驱动、马达控制及其他高压低功耗应用。
电气特性 ZVP4525ZTA在标准工作条件下，具有以下主要电气参数：
- 最大漏源电压（Vdss）：250V，这使得该MOSFET能够在高压环境下稳定工作。
- 连续漏极电流（Id）：205mA（在25°C时），适合需要中等电流负载的电路应用。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大为2V @ 1mA，这表明器件在低栅源电压下即可敏感开启，利于实现快速开关控制。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V的栅源电压下，最大值为14Ω @ 200mA，有助于减少功耗并提高效率。
驱动和控制 该MOSFET的栅极驱动电压最大值可达到40V，适应多种控制信号，同时在驱动电压为3.5V和10V时，其导通电阻表现优异，确保器件能够以较低的功耗在高频率下工作。对于不同的漏极电流（Id）和栅源电压（Vgs）条件，ZVP4525ZTA的栅极电荷（Qg）最大为3.45nC（在10V时），输入电容（Ciss）最大为73pF（在25V时），利于提升开关速度和控制精度。
热性能 ZVP4525ZTA设计考虑了广泛的工作温度范围，从-55°C到150°C，适合在极端环境下运行。此外，其最大功率耗散可达1.2W，这使其在设计中具有良好的热管理能力，大大提高了系统的稳定性和可靠性。
应用领域 ZVP4525ZTA MOSFET可广泛应用于以下领域：
- 开关电源：在AC/DC转换中用作开关元件，提升能量转换效率。
- LED驱动电路：控制LED的亮度和开关，能有效降低功率损耗。
- 电机控制：为小型电动机提供高频率的开关控制，适用小家电和玩具等。
- 音频放大器：用于高效功率放大器设计，提升输出声音质量。
封装和实用性 ZVP4525ZTA采用SOT-89-3封装，具有小型化和良好散热能力，非常适合高密度电路布局。其卷带包装（TR）形式便于自动化装配，提高生产效率和一致性。
总结 作为一款高品质的P沟道MOSFET，ZVP4525ZTA凭借其优秀的电气性能和热特性，适用于多种电子设备和电源管理的场景，能够帮助设计工程师实现更高能效和更低功耗的设计目标。对于需要高压和中等电流的应用，该器件无疑是值得推荐的解决方案。选择ZVP4525ZTA，将为您的项目带来便利和创新。