安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80A |
栅极电荷 | 334nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.3V @ 15V,60A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 240A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 750µJ(开),550µJ(关) |
测试条件 | 400V,60A,4.7 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 375W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 60ns/208ns | 反向恢复时间 (trr) | 74ns |
产品名称:STGW60V60DF
类型:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
电压等级:600V
额定功率:375W
最大集电极电流(Ic):80A
最大集电极脉冲电流(Icm):240A
封装类型:TO-247
制造商:意法半导体(STMicroelectronics)
STGW60V60DF是一款高性能的沟槽型场截止IGBT,专为高开关速度和高效率应用而设计。其独特的设计使其在高电压和高电流应用中展现出卓越的性能。具有以下重要特性:
电流承载能力:该IGBT最大Ic高达80A,脉冲电流可达240A,适用于需要高电流驱动的工业设备和电力转换器。
高电压耐受性:具有600V的集射极击穿电压,适合各种高电压应用,如电机控制、逆变器、及电源管理。
低导通电压:在工作条件下(15V,60A),最大Vce(on)仅为2.3V,能够有效降低导通损耗,增强系统的能效。
快速开关能力:开关能量分别为750µJ(开)和550µJ(关),加之短实用的开关延迟时间(60ns开,208ns关),使得该元件在高频率操作下保持高效率。
良好的热稳定性:工作温度范围宽广,达到-55°C至175°C(TJ),使其能在严酷的环境中稳定运行,适应工业等严苛应用场景。
反向恢复时间:其反向恢复时间(trr)仅为74ns,降低了对周边电路的影响,从而提升整体系统的性能。
STGW60V60DF IGBT因其卓越的性能和高耐受性,适用于多个应用领域,包括:
STGW60V60DF IGBT管/模块是意法半导体推出的一款高性能器件,其高电压、高电流和快速开关特性使其在电力电子应用中展现出卓越的性能。凭借其可靠的工作温度范围和低导通电压,STGW60V60DF为工业自动化、电机控制及电源管理等领域提供了极为理想的解决方案。无论是在高效率电源设计,还是在严酷的工作环境中,该产品都能提供稳定和高效的表现,并有效降低能耗,为用户创造更大的经济价值。