PDTB113ZT,215 产品实物图片
PDTB113ZT,215 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PDTB113ZT,215

商品编码: BM0000035213
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
数字晶体管 250mW 50V 500mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
库存 :
20596(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.253
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.253
--
200+
¥0.163
--
1500+
¥0.141
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

PDTB113ZT,215参数

制造商Nexperia USA Inc.包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)70 @ 50mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装TO-236AB
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
功率 - 最大值250mW基本产品编号PDTB113

PDTB113ZT,215手册

empty-page
无数据

PDTB113ZT,215概述

PDTB113ZT,215 产品概述

1. 产品简介

PDTB113ZT,215 是由 Nexperia USA Inc. 制造的一款高性能PNP型数字晶体管,采用表面贴装型(SMD)封装,符合 SOT-23-3 尺寸规范。该器件特别设计用于各种线路中的开关应用,并在数字电路中表现出色。其预偏置设计使其在低电流下依然能够保持良好的性能,使得其在现代电子设备中得到了广泛的应用。

2. 关键特性

  • 晶体管类型: PNP预偏压型
  • 电流能力: 最大集电极电流 (Ic) 可达 500mA,适合大多数低功率驱动应用
  • 电压耐受: 最大集射极击穿电压 (Vce) 为 50V,能够满足绝大部分低电压电源电路的需求
  • 功率耗散: 最高功率耗散可达 250mW,足以应对中等功率的驱动需求
  • DC电流增益 (hFE): 在工作条件下,hFE 的最小值为 70(@ 50mA,5V),保证了良好的放大效能
  • 饱和压降: 在2.5mA基极电流和50mA集电极电流的条件下,其Vce饱和压降最大值为300mV,优化了功率损耗和效率

3. 应用领域

PDTB113ZT,215 适用于以下几种领域:

  1. 开关电路: 由于其较高的Ic和良好的饱和性能,该晶体管非常适合用于驱动LED、继电器等负载。
  2. 数字电路: 使用其预偏置功能,该器件可以在逻辑电路中高效运作,确保数据传输的稳定性。
  3. 音频放大: 在音频设备中,PDTB113可以用于放大信号,保持信号的线性度。
  4. 传感器应用: 在传感器接口中,该晶体管可以有效工作,处理来自传感器的微弱信号。

4. 设计优势

  • 低功耗特性: 该器件的低电流要求和小型化封装有效降低了电源消耗,适合于便携式设备。
  • 高集成度: SOT-23-3封装设计使其在空间受到限制的电路板上易于布局,优化了整体产品设计。
  • 可靠性: Nexperia作为知名制造商,在产品的质量和可靠性上有着良好的口碑,确保长期的稳定运行。

5. 封装和存储

PDTB113ZT,215 采用卷带 (TR) 包装,方便自动化贴片生产,提升了生产效率。同时, TO-236AB 封装设计不仅满足机械强度要求,还能有效降低热阻,有助于散热。

6. 技术规格总结

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 品牌: Nexperia(安世)
  • 封装类型: SOT-23-3
  • 工作温度范围: 适合各种工业和家用设备环境
  • 典型应用: 开关电路、数字电路、音频放大、传感器接口等

7. 结语

PDTB113ZT,215 是一款性能优越、功能多样的数字晶体管,设计精良,适合多种应用。在现代电子设计中,它为工程师和技术人员提供了一个出色的解决方案,在开发新产品时必然会带来更多的灵活性和创新性。无论是用于家庭电器、工业控制,还是移动通讯设备,PDTB113ZT,215 都能成为您设计中的重要组成部分。