MMDT2907V-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMDT2907V-7

商品编码: BM0000035210
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
0.012g
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 60V 600mA PNP SOT-563
库存 :
2979(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.59
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.59
--
200+
¥0.381
--
1500+
¥0.331
--
3000+
¥0.293
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMDT2907V-7参数

晶体管类型2 PNP(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)60V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.6V @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 150mA,10V
功率 - 最大值150mW频率 - 跃迁200MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563

MMDT2907V-7手册

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MMDT2907V-7概述

MMDT2907V-7 产品概述

产品简介

MMDT2907V-7 是由 Diodes Incorporated 制造的一款高性能 PNP 型双极性晶体管(BJT),其设计旨在满足各种电子电路的需求,特别适用于低功耗切换和放大应用。该器件采用 SOT-563 封装,具有出色的热性能和电气特性,使其成为现代电子设计中的理想选择。

主要参数

  • 晶体管类型:PNP(双极性型)
  • 最大集电极电流 (Ic):600mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce):60V
  • 饱和压降 (Vce(sat)):在不同 Ib 和 Ic 下,最大值为 1.6V,适用于集电极电流为 50mA 和 500mA 时
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为 10nA,显示出其极低的漏电特性
  • 直流电流增益 (hFE):在 150mA 和 10V 条件下,最小增益为 100
  • 最大功率:150mW,适合低功耗应用
  • 频率响应:截至 200MHz,适合高频应用
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C,适合严苛环境应用

应用场景

MMDT2907V-7 适用于各种电子电路应用,包括:

  • 信号放大器
  • 开关电路
  • 功率调节器
  • 直流电机驱动
  • 高频信号处理电路

由于其极佳的频率响应和低噪声特性,该器件尤其适合于无线电频率(RF)和其他高频应用。

封装与安装

该晶体管以 SOT-563 封装形式提供,具有小型化和轻量化的特点,适合表面贴装技术(SMD)应用。这种封装允许在拥挤的电路板设计中节省空间,同时确保良好的散热性能。具备适应高温焊接过程的能力,使其在自动化生产线中的应用更加灵活。

优势

MMDT2907V-7 提供多项显著优势:

  1. 高集电极电流能力:可满足大部分用户在高功率应用中的需求。
  2. 低饱和压降:确保在高集电极电流下仍能保持高效率操作,减小功耗。
  3. 宽工作温度范围:可在极端温度条件下稳定工作,适合汽车电子、工业控制等领域。
  4. 优良的开关特性:适用于快速切换应用,提供优化的响应时间。

结论

MMDT2907V-7 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管,凭借其优越的电气特性和广泛的应用灵活性,成为了许多电子设计师的首选器件。无论是在信号处理、高频应用还是在功率开关电路中,MMDT2907V-7 都能提供可靠的性能表现。其小巧的封装设计和极佳的热特性,使其在现代电子产品中有着广泛的适用性。选择 MMDT2907V-7,便是选择高效、可靠和创新的电子解决方案。