晶体管类型 | 2 PNP(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 600mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 50mA,500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
MMDT2907V-7 是由 Diodes Incorporated 制造的一款高性能 PNP 型双极性晶体管(BJT),其设计旨在满足各种电子电路的需求,特别适用于低功耗切换和放大应用。该器件采用 SOT-563 封装,具有出色的热性能和电气特性,使其成为现代电子设计中的理想选择。
MMDT2907V-7 适用于各种电子电路应用,包括:
由于其极佳的频率响应和低噪声特性,该器件尤其适合于无线电频率(RF)和其他高频应用。
该晶体管以 SOT-563 封装形式提供,具有小型化和轻量化的特点,适合表面贴装技术(SMD)应用。这种封装允许在拥挤的电路板设计中节省空间,同时确保良好的散热性能。具备适应高温焊接过程的能力,使其在自动化生产线中的应用更加灵活。
MMDT2907V-7 提供多项显著优势:
MMDT2907V-7 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管,凭借其优越的电气特性和广泛的应用灵活性,成为了许多电子设计师的首选器件。无论是在信号处理、高频应用还是在功率开关电路中,MMDT2907V-7 都能提供可靠的性能表现。其小巧的封装设计和极佳的热特性,使其在现代电子产品中有着广泛的适用性。选择 MMDT2907V-7,便是选择高效、可靠和创新的电子解决方案。