4N35M
4N35M参数
| 通道数 | 1 | 电压 - 隔离 | 4170Vrms |
| 电流传输比（最小值） | 100% @ 10mA | 接通 / 关断时间（典型值） | 2µs，2µs |
| 输入类型 | DC | 输出类型 | 有基极的晶体管 |
| 电压 - 输出（最大值） | 30V | 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | 1.18V |
| 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | 60mA | Vce 饱和压降（最大） | 300mV |
| 工作温度 | -40°C ~ 100°C | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 6-DIP（0.300"，7.62mm） | 供应商器件封装 | 6-DIP |
4N35M手册
4N35M概述
4N35M 产品概述
概述
4N35M 是一款高性能的光电耦合器，采用了先进的光电隔离技术，广泛应用于电子设备中，以实现信号的有效传输，同时提供电气隔离功能。该产品具有单通道设计，能够承受高达 4170Vrms 的隔离电压，特别适用于需要高电压隔离的场合，如电源管理、工业控制和通信设备等领域。
主要特点
隔离电压高达 4170Vrms：4N35M 具备优秀的电气隔离性能，有效防止高电压对低电压电路的影响，提升了设备的安全性和可靠性。
通道数和输出类型：该器件为单通道输出，采用一个基极的晶体管作为输出形式，其设计使得在大多数应用中，可以实现简单而有效的接口。
电流传输比高达 100%：4N35M 在输入电流为 10mA 的情况下，具备一个优秀的电流传输比，确保了输入信号的可靠性与一致性，实现信号的准确传递。
快速开关特性：其接通时间和关断时间的典型值均为 2µs，这使得 4N35M 非常适合高速信号传输要求的应用，能够满足现代电子设备对瞬态响应速度的需求。
宽工作温度范围：该光耦的工作温度范围在 -40°C 至 100°C，适应多种工作环境，增强了产品的应用灵活性和稳定性，确保其能够在严酷条件下正常运行。
老化耐久性：使用的材料和生产工艺使得该组件具有良好的耐老化性能，能够长时间保持稳定的电气特性。
电气参数
- 输入类型：直流（DC），便于与各种直流电路兼容。
- 最大输出电压：30V，适用于多种电气隔离级别的要求。
- 正向电压 (Vf)：在典型情况下为 1.18V，保证了高效的电流传输效率。
- 最大正向电流 (If)：可承受高达 60mA 的直流输入，提供更大的驱动能力。
- Vce 饱和压降：最大值为 300mV，显示出低功耗特性，有助于实现高效的电路设计。
封装与安装
4N35M 采用了 DIP-6 封装形式，尺寸为 0.300"（7.62mm），支持通孔安装，这种封装方式便于集成到各种电子电路板上，又极大地方便了生产和维护。
应用领域
4N35M 的设计使其在多个领域内都得以广泛应用，包括：
- 工业控制：电机控制、传感器接口等。
- 电源管理：电源转换器、继电器驱动等模块。
- 通信设备：信号隔离、数据传输和接口适配。
- 家用电器：防误操作、信号转换等。
总结
4N35M 是一款兼具高效能和高可靠性的光电耦合器，凭借其优异的隔离特性和出色的开关速度，成为众多电子应用中的重要组成部分。无论是在高压电路的安全控制，还是在低功耗电路的信号传递中，4N35M 都能展现出其独特的价值，为现代电子产品提供了更为可靠的解决方案。