FDP075N15A-F102
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
3.12g
描述 :
场效应管(MOSFET) 333W 150V 130A 1个N沟道 TO-220-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
21.31按整 :
管(1管有50个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥21.31
--
1000+
产品参数
产品手册
产品概述
FDP075N15A-F102参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 100A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 333W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7350pF @ 75V | 基本产品编号 | FDP075 |
FDP075N15A-F102手册
FDP075N15A-F102概述
产品概述：FDP075N15A-F102
产品名称：FDP075N15A-F102
制造商：ON Semiconductor
产品系列：PowerTrench® MOSFET
封装类型：TO-220-3
基本特性
FDP075N15A-F102 是一款高性能的N沟道场效应管（MOSFET），适用于高电流和高电压的应用场景。其最大连续漏极电流为130A，结合其广泛的工作温度范围和出色的散热能力，使得这一器件特别适合各类电源管理应用、DC-DC转换器及电动汽车驱动系统等。
电气特性
- 最大漏源电压 (Vds)：150V
- 最大功率耗散 (Pd)：333W
- 导通电阻 (Rds(on))：在10V的栅极驱动电压和100A的电流条件下，最大导通电阻为7.5毫欧。这一低导通电阻确保了优异的功率损耗性能，提升了系统的整体效率。这对于要求高效率的高速开关应用尤为重要。
- 栅极驱动电压 (Vgs)：本器件的最大栅极驱动电压为±20V，适应不同的控制电路要求。此外，其栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大为4V（@250µA），便于准确控制开关状态。
动态特性
- 栅极电荷 (Qg)：在10V的栅极驱动条件下，最大栅极电荷为100nC。这一特性对于开关频率较高的应用尤为关键，因为它直接影响了开关速度和效率。
- 输入电容 (Ciss)：在75V的电压条件下，输入电容的最大值为7350pF。高输入电容可能影响开关速度，因此在设计高频应用时需特别考虑这一参数。
热特性与安装
FDP075N15A-F102的工作温度范围为-55°C 到 175°C，使得它可以在严苛环境中稳定工作。此外，TO-220-3封装形式确保了良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和使用寿命。该元器件采用通孔安装方式，具备良好的机械强度和高电流承载能力，适应多种PCB设计需求。
应用场景
FDP075N15A-F102广泛应用于多个领域，包括：
- 开关电源：具有高效率和低导通电阻的特性，使其成为开关电源中理想的功率开关器件。
- 电动汽车：可用于电动汽车的驱动电路中，支持高电流和高电压的运行。
- 电机驱动：在电机控制和驱动系统中，能够有效管理电流，提供精确的控制。
- 太阳能逆变器：该器件亦适用于可再生能源系统中，如太阳能逆变器，提供高效可靠的电流转换。
结论
FDP075N15A-F102 是一款高性能的N沟道MOSFET，结合了出色的电气性能、可靠的热特性和广泛的应用适应性，非常适合需要高电流、高电压的电子电路设计。无论是在电源管理、工业控制还是新兴的电动汽车领域，这一产品都展示了其卓越的性能和设计灵活性，为系统设计提供了更多的可能性和优势。