FDPF18N50
FDPF18N50参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 265 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2860pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 38.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
FDPF18N50手册
FDPF18N50概述
FDPF18N50 产品概述
FDPF18N50 是一种高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足各类工业、消费电子以及电力电子应用中的电源管理和开关需求。这款 MOSFET 的主要特点包括其高达 500V 的漏源电压（Vdss）、18A 的连续漏极电流（Id）以及优越的导通电阻性能，这使得其在高电压、大电流和高效率的工作环境中表现出色。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 500V FDPF18N50 可处理高达 500V 的漏源电压，使其成为在高电压应用中理想的选择。
连续漏极电流（Id）: 18A 在 25°C 环境温度下，该 MOSFET 可承受的连续漏极电流为 18A，这对于多种电流驱动的负载要求提供了足够的能力。
导通电阻（Rds(on)）: 265 毫欧 @ 9A，10V 此 MOSFET 在 10V 的栅源电压下，当漏极电流为 9A 时，其导通电阻最大可达 265 毫欧，确保在开关过程中的低能量损耗，提升了效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 5V @ 250µA 此参数意味着该 MOSFET 在 5V 的栅源电压下即可开始导通，这为应用设计提供了灵活性。
栅极电荷 (Qg): 60nC @ 10V 这里的栅极电荷值表明该 MOSFET 在工作切换中所需的电荷量较小，有利于高速开关性能的实现。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C FDPF18N50 可在极端的温度条件下工作，适合于严苛环境中的应用。
封装和安装
FDPF18N50 使用 TO-220F 封装。这种封装类型提供良好的散热性能，适合于高功率应用。其通孔安装的设计使得在各种电路板上的集成更加容易，且具有良好的机械强度。
功率耗散
FDPF18N50 的最大功率耗散为 38.5W，这使得该组件在高负载条件下的散热能力非常好。通过合理的热管理设计，可以有效避免过热现象，从而提高应用的可靠性和安全性。
应用场景
FDPF18N50 适合广泛的应用，包括但不限于：
- 电源转换器和逆变器
- 电动机驱动
- 高压开关
- 照明设备控制
- 力量感应和自动化系统
结论
FDPF18N50 作为一款高电压、高电流的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的性能特点和广泛的应用前景，成为现代电力电子领域内的重要元件之一。面对日益增长的高效能和高可靠性需求，此 MOSFET 的设计体现了先进半导体技术的最新进展，适合于各种智能化和高效能的电子设备设计。选择 FDPF18N50，您将能够为您的产品提供更优质的电源管理解决方案。