ZXTP2013ZTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ZXTP2013ZTA

商品编码: BM0000035125
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
0.086g
描述 : 
三极管(BJT) 2.1W 100V 3.5A PNP SOT-89-3
库存 :
43(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
2.42
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.42
--
50+
¥1.85
--
1000+
¥1.55
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZXTP2013ZTA参数

晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)100V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 400mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值)20nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1A,1V
功率 - 最大值2.1W频率 - 跃迁125MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装SOT-89-3

ZXTP2013ZTA手册

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ZXTP2013ZTA概述

ZXTP2013ZTA 产品概述

概述

ZXTP2013ZTA 是一款高性能的PNP晶体管,由美台(DIODES)公司制造,采用表面贴装型(SMD)封装,封装类型为SOT-89-3。这款晶体管专为中等功率应用而设计,具备出色的电气性能,适用于多种电子电路以及功率控制的场景。

基本参数

ZXTP2013ZTA 的主要参数包括:

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 3.5A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 100V
  • 饱和电压 (Vce(sat)): 在400mA的电流下,最大饱和电压为300mV;在4A的条件下,仍为300mV
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为20nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值为100(在1A及1V条件下)
  • 最大功率: 2.1W
  • 频率特性: 跃迁频率为125MHz
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C

这些参数表明ZXTP2013ZTA可以在高电流、高电压的环境下工作,适合电源管理、开关应用和放大电路中使用。

应用场景

ZXTP2013ZTA 适用于多种电子设备和电路,尤其是在以下应用中表现突出:

  1. 电源开关: 由于其较高的Ic和Vce,ZXTP2013ZTA可用于高效的电源开关,控制电流的导通与断开。
  2. 线性放大: 在音频放大或信号放大电路中,PNP晶体管的低噪声和高线性度能够确保信号传输质量。
  3. 转换开关: 在各种电子设备中,比如可编程逻辑控制器和微处理器模块,ZXTP2013ZTA能高效地实现电源和信号切换。
  4. 继电器驱动: 用于继电器的驱动时,ZXTP2013ZTA能够提供所需的开关电流,满足继电器的激活需求。
  5. 传感器接口: 在传感器电路中,PNP晶体管的性能可以用于有效的信号调节和控制。

设计考量

在使用ZXTP2013ZTA时,设计师需要确保晶体管的工作在其规定的电压和电流范围之内,以确保系统的稳定性和可靠性。同时,要考虑到散热问题,确保晶体管在较高功率运行时不会过热。合适的散热设计能够延长器件的使用寿命并保证电路性能。

封装与安装

ZXTP2013ZTA 采用的SOT-89-3封装适合表面贴装技术(SMT),使得其在现代电子产品的生产与组装过程中更具优势。小巧的封装可以使电路设计更加紧凑,适应对空间有严格要求的应用。

小结

ZXTP2013ZTA是一款高效、可靠的PNP型三极管,具有广泛的适用性和优秀的电气性能。无论是在高电流的开关应用,还是在要求高增益的信号放大中,它都能表现出色。随着电子技术和应用的不断发展,ZXTP2013ZTA无疑会在许多新兴应用中发挥重要作用。对于需要高效能和严苛环境下的电子设计工程师而言,ZXTP2013ZTA是一种理想选择。