晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 200mA,2A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 1A,2V |
功率 - 最大值 | 1.1W | 频率 - 跃迁 | 190MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 | 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
ZXT10P40DE6TA是一款高性能的PNP型晶体管,广泛应用于各类电子电路中,特别是在需要放大和开关功能的场合。其最大集电极电流为2A,最高工作电压可达40V,适合在中高功率的电路设计中使用。这款晶体管采用先进的表面贴装技术 (SMD),具体封装为SOT-23-6,方便在现代电子设备的小型化和高功能化趋势中得到广泛应用。
电流能力:ZXT10P40DE6TA的最大集电极电流(Ic)可达2A,使其能够处理较大电流负载,适合电机驱动、开关电源以及音频放大器等高功率应用。
电压规范:该器件的集射极击穿电压(Vceo)最大值为40V,确保在高电压环境下的稳定性和安全性,这对于许多要求较高电压的应用来说是个重要特性。
饱和压降:在高负载情况下(例如2A电流下),该晶体管的饱和压降最大为300mV,表示低功耗的特性,能在电流开关过程中提供高效能,减少发热量,从而提高整体电路的工作效率。
直流电流增益:其最低直流电流增益(hFE)为180,表示在驱动小信号输入时,能够得到优秀的信号放大效果。这使得ZXT10P40DE6TA非常适合用作前级放大器或信号调理电路的核心组件。
频率响应:产品的跃迁频率高达190MHz,使其适用于高速开关应用及射频电路,这对于实现高频率操作至关重要,尤其在专业音频和无线通讯设备中尤为突出。
广泛的工作温度范围:ZXT10P40DE6TA的工作温度范围从-55°C到150°C,确保其在极端环境下的可靠性,非常适合航空航天、汽车及工业控制应用。
封装类型:其SOT-23-6封装设计,使得该晶体管适应多种电路板布局,并便于自动贴装,提高生产效率。
ZXT10P40DE6TA可广泛应用于:
ZXT10P40DE6TA凭借其卓越的性能和多样化的应用,成为设计工程师在开发高效、可靠电子设备时的理想选择。无论是在日常消费电子产品,还是在需要高功率和高频响应的专业设备中,ZXT10P40DE6TA都展现出独特的竞争力。搭配其出色的热性能和电气特性,使其成为电子设计中不可或缺的重要元件。