SDM10U45LP-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SDM10U45LP-7

商品编码: BM0000035121
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
X1-DFN1006-2
包装 : 
编带
重量 : 
0.026g
描述 : 
肖特基二极管 800mV@100mA 40V 100mA DFN-2(0.6x1)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.887
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.887
--
200+
¥0.611
--
1500+
¥0.556
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SDM10U45LP-7参数

安装类型表面贴装型不同 Vr、F 时电容15pF @ 10V,1MHz
二极管类型肖特基速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度
电流 - 平均整流 (Io)100mA不同 If 时电压 - 正向 (Vf)800mV @ 100mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)40V工作温度 - 结-40°C ~ 125°C
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1µA @ 25V

SDM10U45LP-7手册

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SDM10U45LP-7概述

SDM10U45LP-7 产品概述

概述

SDM10U45LP-7是由DIODES(美台)推出的一款高性能肖特基二极管,适用于各种低电压应用,特点是其低正向压降和高效率。这款二极管采用表面贴装型(SMD)封装设计,结合紧凑的X1-DFN1006-2封装,使其在空间有限的电路板上非常易于集成。

主要特性

  • 正向电压降:在100mA的负载条件下,SDM10U45LP-7的正向电压降仅为800mV,这意味着在相同的工作条件下,其所引起的功耗较低,从而有效提升了电路的整体能效。
  • 反向电压:该二极管具有最高40V的直流反向电压(Vr),使得它能够广泛适用于需要高反向电压的应用场景,例如电源整流和保护电路。
  • 电流处理能力:平均整流电流可达到100mA,满足许多低功耗设备的需求。此外,该器件还支持小信号条件下的200mA电流,能够应对更加多样的工作条件。
  • 反向泄漏电流:在25V的工作环境下,其反向泄漏电流仅为1µA,显示出优秀的密封特性,从而确保电源在不工作状态下不会造成额外的能耗。

工作环境

SDM10U45LP-7适用于-40°C至125°C的广泛工作温度范围。这一特性使得该器件非常适合在恶劣的环境条件下工作,无论是工业控制、汽车电子还是消费类电子产品。

应用场景

  • 电源管理:由于其低正向电压降特性,SDM10U45LP-7非常适用于高效的电源整流,以降低功耗和提高效率。
  • 保护电路:该器件能够作为反向保护二极管,防止电路由于反向电压而造成损坏,确保电路的安全性和稳定性。
  • RF与信号处理:凭借出色的性能和低电流泄漏,SDM10U45LP-7也适合用于射频(RF)和小信号应用中,为信号提供精确的整流和保护。

封装设计

SDM10U45LP-7采用X1-DFN1006-2封装,其外形尺寸为0.6mm x 1mm,具有优良的散热性能和空间利用率。此种封装的设计便于在狭小的电路板上实现高密集的器件布局,符合当前电子产品向小型化和微型化的趋势。

总结

SDM10U45LP-7肖特基二极管以其低正向电压降、高反向电压能力以及较低的反向泄漏电流,成为在多种低电压应用中理想的选择。无论是用于电源整流、信号处理还是作为保护二极管,该产品都能够有效提升电路的性能和可靠性。与其紧凑的封装设计相结合,SDM10U45LP-7能够帮助工程师在设计和制造中达到更高的效率和更小的尺寸。选择SDM10U45LP-7,您将收获更高的性能和更低的整体系统成本,助力您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。