EMD6T2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

EMD6T2R

商品编码: BM0000035104
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-563(SOT-666)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.328
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.328
--
500+
¥0.218
--
4000+
¥0.19
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

EMD6T2R参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电阻器 - 基极 (R1)4.7 千欧频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V

EMD6T2R手册

EMD6T2R概述

产品概述:EMD6T2R 数字晶体管

EMD6T2R是由ROHM(罗姆)推出的一款高性能数字晶体管,采用SOT-563(也称为SOT-666)封装设计,旨在满足现代电子设备对小型化、高效能与低功耗的需求。这款电子元器件集成了一个NPN和一个PNP晶体管,可靠性和灵活性兼具,适用于多种数字电路和模拟电路的应用中。

1. 基础参数

EMD6T2R的主要参数包括:

  • 安装类型:表面贴装型(SMT),适用于自动化贴装工艺。
  • 最大集电极电流(Ic):100mA,适应于多种负载条件。
  • 集射极击穿电压(Vce):最大50V,确保在一定电压范围内的稳定运行。
  • 饱和压降(Vce(sat)):在特定的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,最大饱和压降为300mV(@ 250µA,5mA),显示出晶体管在高电流下的低功耗表现。
  • 基极电阻(R1):4.7kΩ,有助于简单稳定的偏置设定。
  • 频率响应:跃迁频率为250MHz,适合高速开关应用。
  • 最大功率:150mW,提供良好的功率承载能力。
  • DC电流增益(hFE):在1mA和5V下,hFE最小值为100,确保了良好的放大特性。

2. 晶体管架构与功能

EMD6T2R包含一个NPN和一个PNP晶体管,这种预偏置式设计能够实现互补操作,使得该器件可以广泛应用于多种电路设计中。其双晶体管的配置使得它能够在不同的逻辑电平间进行有效切换,实现更复杂的信号传输。数字设计中的信号处理、开关电源、放大等功能,均可以通过EMD6T2R来实现。

3. 应用场景

EMD6T2R非常适合于各种电子产品,例如:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑和便携式设备,由于其小型化和低功耗的特性,非常符合移动设备对电源和空间的严格要求。
  • 工业控制:在自动化设备中的信号处理和功率控制应用,例如继电器驱动、传感器信号调理等。
  • 汽车电子:在汽车电子控制单元中的低功耗逻辑电平转换中,增加了电路的灵活性和可靠性。
  • 通信设备:应用于高速数字开关和放大技术,适合于无线电通信、调制解调器以及网络设备中的数据传输。

4. 设计优点

  • 高效能:由其较低的饱和压降提供更高的能效,减少功耗并延长设备的电池寿命。
  • 尺寸小巧:SOT-563封装的设计使得EMD6T2R适合于空间受限的应用,能够轻松放入小型电路板中。
  • 易于控制:4.7kΩ的基极电阻配置确保偏置电流易于控制,为设计工程师提供了更大的灵活性。
  • 高频特性:250MHz的跃迁频率使其能够支持高速信号传输,符合当今市场对高性能电子元件的需求。

5. 总结

综合来看,EMD6T2R是一款高效、紧凑且功能强大的数字晶体管,适应了现代电子设备对性能和尺寸的双重需求。无论是在消费电子、工业自动化、汽车电子还是通信领域,EMD6T2R都能够提供出色的性能表现,是电子产品设计中不可或缺的一部分。ROHM品牌以其高可靠性和优质的技术支持,确保用户能够在各种复杂的设计挑战中获得最佳解决方案。